SSD / 제품 정보
Samsung 983 ZET 480 GB
Samsung 983 ZET 480 GB는 용량 480 GB, 인터페이스 PCIe 3.0 x4, 순차 읽기 3,400 MB/s, 순차 쓰기 3,000 MB/s, 쓰기 내구성 7440 TBW 사양을 갖춘 SSD입니다. 주요 규격과 성능, 내구성 정보를 한국어로 확인해 보세요.
핵심 사양
구매 전에 먼저 볼 정보
- 용량
- 480 GB
- 폼팩터
- Add-In Card
- 인터페이스
- PCIe 3.0 x4
- 순차 읽기
- 3,400 MB/s
- 순차 쓰기
- 3,000 MB/s
- 쓰기 내구성
- 7440 TBW
Samsung 983 ZET 480 GB 핵심 결론
PCIe 3.0 x4 인터페이스 기반 제품이며, 공개된 사양을 기준으로 한 자체 평가는 86점입니다. 가격은 평가에 포함하지 않았고 실제 성능은 시스템 구성에 따라 달라질 수 있습니다.
동급 제품에서의 위치
같은 PCIE 3 기업용 제품군과 비교했습니다. 비교 표본은 22개입니다.
동급 중앙값 3,200.0
동급 중앙값 2,600.0
동급 중앙값 63,875.0 TBW/TB
동급 중앙값 7.7 W
호환성과 추천 대상
- 인터페이스: PCIe 3.0 x4
- 폼팩터: Add-In Card
- 낮은 PCIe 세대 슬롯에서도 작동할 수 있지만 최대 속도는 슬롯 규격에 제한됩니다.
- PS5 비호환으로 표시된 제품입니다.
- 서버·워크스테이션의 지속적인 쓰기 작업
- 일반 노트북이나 PS5처럼 기업용 규격을 활용하지 못하는 환경
이 SSD를 어떻게 봐야 할까요?
- 순차 읽기 3,400 MB/s로 NVMe 기반 게임과 일반 작업에 충분한 성능입니다.
- 순차 쓰기 3,000 MB/s 사양으로 파일 복사 성능을 가늠할 수 있습니다.
- 쓰기 내구성은 7440 TBW로 명시되어 있습니다.
- 실제 성능은 시스템 구성과 작업 환경에 따라 달라질 수 있습니다.
- 게임용 PC와 빠른 부팅·앱 실행이 필요한 시스템
인터페이스PCIe 3.0 x4 — SSD와 시스템이 데이터를 주고받는 연결 규격입니다.
NAND 정보48-layer — 데이터를 실제로 저장하는 플래시 메모리 구성입니다.
표시된 판단은 공개된 제품 사양을 규칙에 따라 정리한 참고 정보입니다. 데이터·평가 방법 보기
이 제품에 대해 궁금한 점
Samsung 983 ZET 480 GB의 인터페이스는 무엇인가요?
PCIe 3.0 x4 규격을 사용합니다. 장착할 시스템이 같은 규격을 지원하는지 확인해야 합니다.
Samsung 983 ZET 480 GB의 읽기 속도는 어느 정도인가요?
표기된 순차 읽기 속도는 3,400 MB/s입니다. 실제 속도는 시스템과 작업 유형에 따라 달라질 수 있습니다.
PlayStation 5에서 사용할 수 있나요?
수집된 사양에는 PS5 비호환으로 표시되어 있습니다.
스펙매치 자체 점수는 어떻게 계산하나요?
가격을 제외하고 공개된 속도, 내구성, 기능, 소비전력 항목만 동일한 규칙으로 환산합니다. 누락된 항목은 점수 계산에서 제외합니다.
Samsung 983 ZET 480 GB에 DRAM이 있나요?
컨트롤러 사양에 DRAM 탑재 제품으로 표시되어 있습니다.
Samsung 983 ZET 480 GB의 쓰기 내구성은 얼마인가요?
표기 쓰기 내구성은 7440 TBW입니다. 실제 수명은 쓰기 패턴과 온도, 여유 공간에 따라 달라질 수 있습니다.
전체 사양
기본 정보
- 용량
- 480 GB
- 용량 옵션
- 480 GB 960 GB
- 오버프로비저닝
- 65.0 GB / 14.5 %
- 생산 상태
- 단종
- 출시일
- Sep 24th, 2018
- 출시 가격
- 999 USD
- 제품 번호
- MZ-PZA480BW
- 대상 시장
- 기업용
규격 및 연결
- 폼팩터
- Add-In Card
- 인터페이스
- PCIe 3.0 x4
- 프로토콜
- NVMe 1.2
- 소비전력
- 5.5 W (Idle) 8.5 W (Avg) 9.0 W (Max)
컨트롤러
- 제조사
- Samsung
- 모델명
- Phoenix (S4LR020)
- 아키텍처
- ARM 32-bit Cortex-R7
- 코어 구성
- 5-Core
- 파운드리
- Samsung FinFET
- 제조 공정
- 14 nm
- 플래시 채널
- 8 @ 800 MT/s
- 칩 활성 수
- 4
- 컨트롤러 기능
- DRAM (enabled)
낸드 플래시
- 제조사
- Samsung
- 모델명
- Z-NAND V1
- 제품 번호
- K9QHGB8J0M-CCB0
- 종류
- SLC
- 적층 기술
- 48-layer
- 속도
- 667 MT/s
- 용량
- 8 chips @ 512 Gbit
- 셀 구조
- Charge Trap
- 다이 면적
- 101 mm² (0.6 Gbit/mm²)
- 칩당 다이 수
- 8 dies @ 64 Gbit
- 다이당 플레인 수
- 8
- 읽기 지연시간(tR)
- 3 µs
- 프로그램 시간(tProg)
- 100 µs
- 다이 쓰기 속도
- 160 MB/s
- 페이지 크기
- 2 KB
DRAM 캐시
- 종류
- LPDDR4
- 모델명
- Samsung
- 용량
- 1536 MB (1x 1536 MB)
성능 및 내구성
- 순차 읽기
- 3,400 MB/s
- 순차 쓰기
- 3,000 MB/s
- 랜덤 읽기
- 750,000 IOPS
- 랜덤 쓰기
- 75,000 IOPS
- 쓰기 내구성
- 7440 TBW
- 보증 기간
- 5 Years
- 평균 무고장 시간(MTBF)
- 2.0 Million Hours
- 일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
- 8.5
- 쓰기 캐시
- N/A
지원 기능
- TRIM 지원
- 지원
- S.M.A.R.T. 지원
- 지원
- 전원 손실 보호
- 지원
- 암호화
- AES-256
- RGB 조명
- 미지원
- PS5 호환
- 미지원
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