SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsSamsung 983 ZET 480 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100
VS
Samsung 983 ZET 480 GB86/100종합 우세
동급 성능 69우세 68
내구성 47 100우세
기능 77 94우세
효율 92우세 68

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. Samsung 983 ZET 480 GB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다. 동급 성능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 1536 MB (1x 1536 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 480 GB 960 GB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 65.0 GB / 14.5 %
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Jul 14th, 2026 Sep 24th, 2018
출시 가격
270 USD 999 USD
제품 번호
MZ-V9V1T0 K9QHGB8J0M-CCB0
대상 시장
일반 소비자용 기업용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) Add-In Card
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.2
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) 5.5 W (Idle) 8.5 W (Avg) 9.0 W (Max)
모델명
V-NAND V9 Samsung
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R7
코어 구성
6-Core 5-Core
제조 공정
5 nm 14 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 800 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 LPDDR4
적층 기술
280-layer 48-layer
속도
3200 MT/s 667 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 101 mm² (0.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 64 Gbit
다이당 플레인 수
4 8
다이당 데크 수
2 —
읽기 지연시간(tR)
85 µs 3 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 160 MB/s
페이지 크기
16 KB 2 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,150 MB/s우세 3,400 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 3,000 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS 750,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS우세 75,000 IOPS
쓰기 내구성
400 TBW 7440 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 2.0 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 8.5
SLC 쓰기 캐시
지원 —
전원 손실 보호
미지원 지원
암호화
AES-256 TCG Opal AES-256
PS5 호환
지원 미지원
프로그램 시간(tProg)
— 100 µs
쓰기 캐시
— N/A