SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)vsSamsung 983 ZET 480 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Samsung

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)—/100
VS
Samsung 983 ZET 480 GB86/100
동급 성능 — 68
내구성 — 100
기능 45 94우세
효율 — 68

한눈에 보는 결론Samsung 983 ZET 480 GB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
— 1536 MB (1x 1536 MB)
용량 옵션
— 480 GB 960 GB
오버프로비저닝
— 65.0 GB / 14.5 %
생산 상태
— 단종
출시일
— Sep 24th, 2018
출시 가격
— 999 USD
제품 번호
— K9QHGB8J0M-CCB0
대상 시장
— 기업용
폼팩터
— Add-In Card
인터페이스
— PCIe 3.0 x4
프로토콜
— NVMe 1.2
소비전력
— 5.5 W (Idle) 8.5 W (Avg) 9.0 W (Max)
제조사
— Samsung
모델명
— Samsung
아키텍처
— ARM 32-bit Cortex-R7
코어 구성
— 5-Core
파운드리
— Samsung FinFET
제조 공정
— 14 nm
플래시 채널
— 8 @ 800 MT/s
칩 활성 수
— 4
컨트롤러 기능
— DRAM (enabled)
종류
— LPDDR4
적층 기술
— 48-layer
속도
— 667 MT/s
셀 구조
— Charge Trap
다이 면적
— 101 mm² (0.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
— 8 dies @ 64 Gbit
다이당 플레인 수
— 8
읽기 지연시간(tR)
— 3 µs
프로그램 시간(tProg)
— 100 µs
다이 쓰기 속도
— 160 MB/s
페이지 크기
— 2 KB
순차 읽기
— 3,400 MB/s
순차 쓰기
— 3,000 MB/s
랜덤 읽기
— 750,000 IOPS
랜덤 쓰기
— 75,000 IOPS
쓰기 내구성
— 7440 TBW
보증 기간
— 5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
— 2.0 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
— 8.5
쓰기 캐시
— N/A
TRIM 지원
— 지원
S.M.A.R.T. 지원
— 지원
전원 손실 보호
— 지원
암호화
— AES-256
RGB 조명
— 미지원
PS5 호환
— 미지원