SSD / 제품 정보
Samsung PM1735 6 TB
Samsung PM1735 6 TB는 용량 6 TB (6400 GB), 인터페이스 PCIe 4.0 x8, 순차 읽기 8,000 MB/s, 순차 쓰기 3,800 MB/s, 쓰기 내구성 35040 TBW 사양을 갖춘 SSD입니다. 주요 규격과 성능, 내구성 정보를 한국어로 확인해 보세요.
핵심 사양
구매 전에 먼저 볼 정보
- 용량
- 6 TB (6400 GB)
- 폼팩터
- Add-In Card
- 인터페이스
- PCIe 4.0 x8
- 순차 읽기
- 8,000 MB/s
- 순차 쓰기
- 3,800 MB/s
- 쓰기 내구성
- 35040 TBW
Samsung PM1735 6 TB 핵심 결론
PCIe 4.0 x8 인터페이스 기반 제품이며, 공개된 사양을 기준으로 한 자체 평가는 75점입니다. 가격은 평가에 포함하지 않았고 실제 성능은 시스템 구성에 따라 달라질 수 있습니다.
동급 제품에서의 위치
같은 PCIE 4 기업용 제품군과 비교했습니다. 비교 표본은 16개입니다.
동급 중앙값 7,250.0
동급 중앙값 3,800.0
동급 중앙값 116,800.0 TBW/TB
동급 중앙값 10.0 W
호환성과 추천 대상
- 인터페이스: PCIe 4.0 x8
- 폼팩터: Add-In Card
- 낮은 PCIe 세대 슬롯에서도 작동할 수 있지만 최대 속도는 슬롯 규격에 제한됩니다.
- PS5 비호환으로 표시된 제품입니다.
- 서버·워크스테이션의 지속적인 쓰기 작업
- 일반 노트북이나 PS5처럼 기업용 규격을 활용하지 못하는 환경
이 SSD를 어떻게 봐야 할까요?
- 순차 읽기 8,000 MB/s로 대용량 파일과 고사양 작업에 유리합니다.
- 순차 쓰기 3,800 MB/s 사양으로 파일 복사 성능을 가늠할 수 있습니다.
- 쓰기 내구성은 35040 TBW로 명시되어 있습니다.
- 실제 성능은 시스템 구성과 작업 환경에 따라 달라질 수 있습니다.
- 게임용 PC와 빠른 부팅·앱 실행이 필요한 시스템
인터페이스PCIe 4.0 x8 — SSD와 시스템이 데이터를 주고받는 연결 규격입니다.
NAND 정보92-layer — 데이터를 실제로 저장하는 플래시 메모리 구성입니다.
표시된 판단은 공개된 제품 사양을 규칙에 따라 정리한 참고 정보입니다. 데이터·평가 방법 보기
이 제품에 대해 궁금한 점
Samsung PM1735 6 TB의 인터페이스는 무엇인가요?
PCIe 4.0 x8 규격을 사용합니다. 장착할 시스템이 같은 규격을 지원하는지 확인해야 합니다.
Samsung PM1735 6 TB의 읽기 속도는 어느 정도인가요?
표기된 순차 읽기 속도는 8,000 MB/s입니다. 실제 속도는 시스템과 작업 유형에 따라 달라질 수 있습니다.
PlayStation 5에서 사용할 수 있나요?
수집된 사양에는 PS5 비호환으로 표시되어 있습니다.
스펙매치 자체 점수는 어떻게 계산하나요?
가격을 제외하고 공개된 속도, 내구성, 기능, 소비전력 항목만 동일한 규칙으로 환산합니다. 누락된 항목은 점수 계산에서 제외합니다.
Samsung PM1735 6 TB에 DRAM이 있나요?
컨트롤러 사양에 DRAM 탑재 제품으로 표시되어 있습니다.
Samsung PM1735 6 TB의 쓰기 내구성은 얼마인가요?
표기 쓰기 내구성은 35040 TBW입니다. 실제 수명은 쓰기 패턴과 온도, 여유 공간에 따라 달라질 수 있습니다.
전체 사양
기본 정보
- 용량
- 6 TB (6400 GB)
- 용량 옵션
- 1.6 TB 3 TB 6 TB 13 TB
- 오버프로비저닝
- 2231.5 GB / 37.4 %
- 생산 상태
- 단종
- 출시일
- Feb 2020
- 제품 번호
- MZPLJ6T4HALA-0007C
- 대상 시장
- 기업용
규격 및 연결
- 폼팩터
- Add-In Card
- 인터페이스
- PCIe 4.0 x8
- 프로토콜
- NVMe 1.3
- 소비전력
- 8.5 W (Idle) 19.0 W (Avg) 22.0 W (Max)
컨트롤러
- 제조사
- Samsung
- 모델명
- Eagle (S4LR014)
- 아키텍처
- ARM 32-bit Cortex-R8
- 파운드리
- Samsung FinFET
- 제조 공정
- 14 nm
- 플래시 채널
- 16 @ 1,200 MT/s
- 칩 활성 수
- 4
- 컨트롤러 기능
- DRAM (enabled)
낸드 플래시
- 제조사
- Samsung
- 모델명
- V-NAND V5
- 종류
- TLC
- 적층 기술
- 92-layer
- 속도
- 533 MT/s .. 1400 MT/s
- 용량
- 8 chips @ 8 Tbit
- Toggle 규격
- 4.0
- 셀 구조
- Charge Trap
- 제조 공정
- 20 nm
- 칩당 다이 수
- 16 dies @ 512 Gbit
- 다이당 플레인 수
- 2
- 다이당 데크 수
- 1
- 워드라인
- 100 per NAND String 92.0% Vertical Efficiency
- 읽기 지연시간(tR)
- 73 µs
- 프로그램 시간(tProg)
- 500 µs
- 블록 삭제 시간(tBERS)
- 3.5 ms
- 다이 읽기 속도
- 438 MB/s
- 다이 쓰기 속도
- 64 MB/s
- 페이지 크기
- 16 KB
DRAM 캐시
- 종류
- DDR4-2666 CL19
- 모델명
- Samsung
- 용량
- 정보 없음
- 구성
- x8
성능 및 내구성
- 순차 읽기
- 8,000 MB/s
- 순차 쓰기
- 3,800 MB/s
- 랜덤 읽기
- 1,500 IOPS
- 랜덤 쓰기
- 250,000 IOPS
- 쓰기 내구성
- 35040 TBW
- 보증 기간
- 5 Years
- 평균 무고장 시간(MTBF)
- 2.0 Million Hours
- 일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
- 3.0
- 쓰기 캐시
- N/A
지원 기능
- TRIM 지원
- 지원
- S.M.A.R.T. 지원
- 지원
- 전원 손실 보호
- 지원
- 암호화
- AES-256
- RGB 조명
- 미지원
- PS5 호환
- 미지원
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