SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung 990 2 TBvsSamsung PM1735 6 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
73우세
50
내구성
47
99우세
기능
77
94우세
효율
96우세
15
한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Samsung PM1735 6 TB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 16 Tbit
정보 없음
용량 옵션
1 TB 2 TB
1.6 TB 3 TB 6 TB 13 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 %
2231.5 GB / 37.4 %
생산 상태
생산 중
단종
출시일
Jul 14th, 2026
Feb 2020
출시 가격
530 USD
—
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0
MZPLJ6T4HALA-0007C
대상 시장
일반 소비자용
기업용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
Add-In Card
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x8
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 1.3
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max)
8.5 W (Idle) 19.0 W (Avg) 22.0 W (Max)
제조사
Samsung
Samsung
모델명
V-NAND V9
Samsung
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
6-Core
—
파운드리
Samsung FinFET
Samsung FinFET
제조 공정
5 nm
20 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
16 @ 1,200 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
DDR4-2666 CL19
적층 기술
280-layer
92-layer
속도
3200 MT/s
533 MT/s .. 1400 MT/s
Toggle 규격
5.0
4.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²)
—
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit
16 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4
2
다이당 데크 수
2
1
읽기 지연시간(tR)
85 µs
73 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s
64 MB/s
페이지 크기
16 KB
16 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
7,250 MB/s
8,000 MB/s우세
순차 쓰기
6,450 MB/s우세
3,800 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세
1,500 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세
250,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW
35040 TBW우세
보증 기간
3 Years
5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
2.0 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4
3.0
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB
—
캐시 폴딩 속도
213 MB/s
—
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
지원
암호화
AES-256 TCG Opal
AES-256
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
미지원
워드라인
—
100 per NAND String 92.0% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
—
500 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
—
3.5 ms
다이 읽기 속도
—
438 MB/s
구성
—
x8
쓰기 캐시
—
N/A