SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)vsSamsung PM1735 6 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
—
50
내구성
—
99
기능
45
94우세
효율
—
15
한눈에 보는 결론Samsung PM1735 6 TB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
—
정보 없음
용량 옵션
—
1.6 TB 3 TB 6 TB 13 TB
오버프로비저닝
—
2231.5 GB / 37.4 %
생산 상태
—
단종
출시일
—
Feb 2020
제품 번호
—
MZPLJ6T4HALA-0007C
대상 시장
—
기업용
폼팩터
—
Add-In Card
인터페이스
—
PCIe 4.0 x8
프로토콜
—
NVMe 1.3
소비전력
—
8.5 W (Idle) 19.0 W (Avg) 22.0 W (Max)
제조사
—
Samsung
모델명
—
Samsung
아키텍처
—
ARM 32-bit Cortex-R8
파운드리
—
Samsung FinFET
제조 공정
—
20 nm
플래시 채널
—
16 @ 1,200 MT/s
칩 활성 수
—
4
컨트롤러 기능
—
DRAM (enabled)
종류
—
DDR4-2666 CL19
적층 기술
—
92-layer
속도
—
533 MT/s .. 1400 MT/s
Toggle 규격
—
4.0
셀 구조
—
Charge Trap
칩당 다이 수
—
16 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
—
2
다이당 데크 수
—
1
워드라인
—
100 per NAND String 92.0% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
—
73 µs
프로그램 시간(tProg)
—
500 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
—
3.5 ms
다이 읽기 속도
—
438 MB/s
다이 쓰기 속도
—
64 MB/s
페이지 크기
—
16 KB
구성
—
x8
순차 읽기
—
8,000 MB/s
순차 쓰기
—
3,800 MB/s
랜덤 읽기
—
1,500 IOPS
랜덤 쓰기
—
250,000 IOPS
쓰기 내구성
—
35040 TBW
보증 기간
—
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
—
2.0 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
—
3.0
쓰기 캐시
—
N/A
TRIM 지원
—
지원
S.M.A.R.T. 지원
—
지원
전원 손실 보호
—
지원
암호화
—
AES-256
RGB 조명
—
미지원
PS5 호환
—
미지원