SSD / 제품 정보
Samsung 960 EVO 1 TB
Samsung 960 EVO 1 TB는 용량 1 TB (1000 GB), 인터페이스 PCIe 3.0 x4, 순차 읽기 3,200 MB/s, 순차 쓰기 1,900 MB/s, 쓰기 내구성 400 TBW 사양을 갖춘 SSD입니다. 주요 규격과 성능, 내구성 정보를 한국어로 확인해 보세요.
핵심 사양
구매 전에 먼저 볼 정보
- 용량
- 1 TB (1000 GB)
- 폼팩터
- M.2 2280 (Single-Sided)
- 인터페이스
- PCIe 3.0 x4
- 순차 읽기
- 3,200 MB/s
- 순차 쓰기
- 1,900 MB/s
- 쓰기 내구성
- 400 TBW
Samsung 960 EVO 1 TB 핵심 결론
PCIe 3.0 x4 인터페이스 기반 제품이며, 공개된 사양을 기준으로 한 자체 평가는 62점입니다. 가격은 평가에 포함하지 않았고 실제 성능은 시스템 구성에 따라 달라질 수 있습니다.
동급 제품에서의 위치
같은 PCIE 3 소비자용 제품군과 비교했습니다. 비교 표본은 89개입니다.
동급 중앙값 3,350.0
동급 중앙값 2,500.0
동급 중앙값 5,000.0 TBW/TB
동급 중앙값 3.4 W
호환성과 추천 대상
- 인터페이스: PCIe 3.0 x4
- 폼팩터: M.2 2280 (Single-Sided)
- 낮은 PCIe 세대 슬롯에서도 작동할 수 있지만 최대 속도는 슬롯 규격에 제한됩니다.
- PS5 비호환으로 표시된 제품입니다.
- 운영체제와 일반 프로그램 저장
- 실측 벤치마크만으로 구매를 결정하려는 경우
이 SSD를 어떻게 봐야 할까요?
- 순차 읽기 3,200 MB/s로 NVMe 기반 게임과 일반 작업에 충분한 성능입니다.
- 순차 쓰기 1,900 MB/s 사양으로 파일 복사 성능을 가늠할 수 있습니다.
- 쓰기 내구성은 400 TBW로 명시되어 있습니다.
- 전원 손실 보호 기능을 지원하지 않는 것으로 표시됩니다.
- 게임용 PC와 빠른 부팅·앱 실행이 필요한 시스템
인터페이스PCIe 3.0 x4 — SSD와 시스템이 데이터를 주고받는 연결 규격입니다.
NAND 정보48-layer — 데이터를 실제로 저장하는 플래시 메모리 구성입니다.
표시된 판단은 공개된 제품 사양을 규칙에 따라 정리한 참고 정보입니다. 데이터·평가 방법 보기
이 제품에 대해 궁금한 점
Samsung 960 EVO 1 TB의 인터페이스는 무엇인가요?
PCIe 3.0 x4 규격을 사용합니다. 장착할 시스템이 같은 규격을 지원하는지 확인해야 합니다.
Samsung 960 EVO 1 TB의 읽기 속도는 어느 정도인가요?
표기된 순차 읽기 속도는 3,200 MB/s입니다. 실제 속도는 시스템과 작업 유형에 따라 달라질 수 있습니다.
PlayStation 5에서 사용할 수 있나요?
수집된 사양에는 PS5 비호환으로 표시되어 있습니다.
스펙매치 자체 점수는 어떻게 계산하나요?
가격을 제외하고 공개된 속도, 내구성, 기능, 소비전력 항목만 동일한 규칙으로 환산합니다. 누락된 항목은 점수 계산에서 제외합니다.
Samsung 960 EVO 1 TB에 DRAM이 있나요?
컨트롤러 사양에 DRAM 탑재 제품으로 표시되어 있습니다.
Samsung 960 EVO 1 TB의 쓰기 내구성은 얼마인가요?
표기 쓰기 내구성은 400 TBW입니다. 실제 수명은 쓰기 패턴과 온도, 여유 공간에 따라 달라질 수 있습니다.
전체 사양
기본 정보
- 용량
- 1 TB (1000 GB)
- 용량 옵션
- 250 GB 500 GB 1 TB
- 오버프로비저닝
- 92.7 GB / 10.0 %
- 생산 상태
- 단종
- 출시일
- Oct 2016
- 출시 가격
- 480 USD
- 제품 번호
- MZ-V6E500BW
- 대상 시장
- 일반 소비자용
규격 및 연결
- 폼팩터
- M.2 2280 (Single-Sided)
- 인터페이스
- PCIe 3.0 x4
- 프로토콜
- NVMe 1.2
- 소비전력
- 0.04 W (Idle) 5.7 W (Avg) Unknown (Max)
컨트롤러
- 제조사
- Samsung
- 모델명
- Polaris (S4LP077X01-8030)
- 아키텍처
- ARM 32-bit Cortex-R5
- 코어 구성
- 5-Core
- 파운드리
- Samsung
- 제조 공정
- 28 nm
- 플래시 채널
- 8
- 칩 활성 수
- 8
- 컨트롤러 기능
- DRAM (enabled)
낸드 플래시
- 제조사
- Samsung
- 모델명
- V-NAND V3
- 제품 번호
- K9DUGY8SCM-DCK0
- 종류
- TLC
- 적층 기술
- 48-layer
- 속도
- 667 MT/s
- 용량
- 2 chips @ 4 Tbit
- 셀 구조
- Charge Trap
- 다이 면적
- 98 mm² (2.6 Gbit/mm²)
- 칩당 다이 수
- 16 dies @ 256 Gbit
- 다이당 플레인 수
- 2
- 다이당 데크 수
- 1
- 워드라인
- 54 per NAND String 88.9% Vertical Efficiency
- 읽기 지연시간(tR)
- 45 µs
- 프로그램 시간(tProg)
- 660 µs
- 블록 삭제 시간(tBERS)
- 3500 ms
- 다이 쓰기 속도
- 53 MB/s
- 페이지 크기
- 16 KB
- 블록 크기
- 576 Pages
- 플레인 크기
- 3776 Blocks
DRAM 캐시
- 종류
- LPDDR3-1866
- 모델명
- SAMSUNG K4E8E304EE-EGCF
- 용량
- 1024 MB (1x 1024 MB)
- 호스트 메모리 버퍼(HMB)
- N/A
성능 및 내구성
- 순차 읽기
- 3,200 MB/s
- 순차 쓰기
- 1,900 MB/s
- 랜덤 읽기
- 380,000 IOPS
- 랜덤 쓰기
- 360,000 IOPS
- 쓰기 내구성
- 400 TBW
- 보증 기간
- 5 Years
- 평균 무고장 시간(MTBF)
- 1.5 Million Hours
- 일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
- 0.2
- SLC 쓰기 캐시
- approx. 36 GB (30 GB Dynamic + 6 GB Static)
- 캐시 소진 후 속도
- approx. 1200 MB/s
지원 기능
- TRIM 지원
- 지원
- S.M.A.R.T. 지원
- 지원
- 전원 손실 보호
- 미지원
- 암호화
- AES-128 AES-256 TCG Opal
- RGB 조명
- 미지원
- PS5 호환
- 미지원
최근 열어본 제품