SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 9100 Pro (w/ Heatsink) 1 TBvsSamsung 960 EVO 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 9100 Pro (w/ Heatsink) 1 TB88/100종합 우세
VS
Samsung 960 EVO 1 TB62/100
동급 성능 97우세 46
내구성 75우세 67
기능 83 83
효율 — 82

한눈에 보는 결론Samsung 9100 Pro (w/ Heatsink) 1 TB은(는) 동급 성능·내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB 250 GB 500 GB 1 TB
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Feb 25th, 2025 Oct 2016
출시 가격
173 USD 480 USD
제품 번호
MZ-VAP1T0 K9DUGY8SCM-DCK0
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.2
소비전력
정보 없음 0.04 W (Idle) 5.7 W (Avg) Unknown (Max)
모델명
Samsung SAMSUNG K4E8E304EE-EGCF
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
파운드리
Samsung FinFET Samsung
제조 공정
5 nm 28 nm
플래시 채널
8 @ 2,400 MT/s 8
칩 활성 수
4 8
종류
LPDDR4X LPDDR3-1866
적층 기술
236-layer 48-layer
속도
2400 MT/s 667 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
다이 면적
89 mm² (11.5 Gbit/mm²) 98 mm² (2.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 1
읽기 지연시간(tR)
40 µs 45 µs
프로그램 시간(tProg)
390 µs 660 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
4.0 ms 3500 ms
다이 읽기 속도
1600 MB/s —
다이 쓰기 속도
164 MB/s 53 MB/s
순차 읽기
14,700 MB/s우세 3,200 MB/s
순차 쓰기
13,300 MB/s우세 1,900 MB/s
랜덤 읽기
1,850,000 IOPS우세 380,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS우세 360,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW우세 400 TBW
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 0.2
SLC 쓰기 캐시
approx. 114 GB (108 GB Dynamic + 6 GB Static) approx. 36 GB (30 GB Dynamic + 6 GB Static)
암호화
AES-256 TCG Opal AES-128 AES-256 TCG Opal
PS5 호환
지원 미지원
워드라인
— 54 per NAND String 88.9% Vertical Efficiency
블록 크기
— 576 Pages
플레인 크기
— 3776 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
— N/A
평균 무고장 시간(MTBF)
— 1.5 Million Hours
캐시 소진 후 속도
— approx. 1200 MB/s