SSD / 제품 정보
Samsung 980 1 TB (V-NAND V6 512Gb)
Samsung 980 1 TB (V-NAND V6 512Gb)는 용량 1 TB (1024 GB), 인터페이스 PCIe 3.0 x4, 순차 읽기 3,500 MB/s, 순차 쓰기 3,000 MB/s, 쓰기 내구성 600 TBW 사양을 갖춘 SSD입니다. 주요 규격과 성능, 내구성 정보를 한국어로 확인해 보세요.
핵심 사양
구매 전에 먼저 볼 정보
- 용량
- 1 TB (1024 GB)
- 폼팩터
- M.2 2280 (Single-Sided)
- 인터페이스
- PCIe 3.0 x4
- 순차 읽기
- 3,500 MB/s
- 순차 쓰기
- 3,000 MB/s
- 쓰기 내구성
- 600 TBW
Samsung 980 1 TB (V-NAND V6 512Gb) 핵심 결론
PCIe 3.0 x4 인터페이스 기반 제품이며, 공개된 사양을 기준으로 한 자체 평가는 70점입니다. 가격은 평가에 포함하지 않았고 실제 성능은 시스템 구성에 따라 달라질 수 있습니다.
동급 제품에서의 위치
같은 PCIE 3 소비자용 제품군과 비교했습니다. 비교 표본은 89개입니다.
동급 중앙값 3,350.0
동급 중앙값 2,500.0
동급 중앙값 5,000.0 TBW/TB
동급 중앙값 3.4 W
호환성과 추천 대상
- 인터페이스: PCIe 3.0 x4
- 폼팩터: M.2 2280 (Single-Sided)
- 낮은 PCIe 세대 슬롯에서도 작동할 수 있지만 최대 속도는 슬롯 규격에 제한됩니다.
- PS5 호환으로 표시된 제품입니다.
- 운영체제와 일반 프로그램 저장
- 별도 DRAM 캐시를 최우선으로 원하는 사용자
이 SSD를 어떻게 봐야 할까요?
- 순차 읽기 3,500 MB/s로 NVMe 기반 게임과 일반 작업에 충분한 성능입니다.
- 순차 쓰기 3,000 MB/s 사양으로 파일 복사 성능을 가늠할 수 있습니다.
- 쓰기 내구성은 600 TBW로 명시되어 있습니다.
- 전원 손실 보호 기능을 지원하지 않는 것으로 표시됩니다.
- 게임용 PC와 빠른 부팅·앱 실행이 필요한 시스템
- PlayStation 5 저장공간 확장
인터페이스PCIe 3.0 x4 — SSD와 시스템이 데이터를 주고받는 연결 규격입니다.
NAND 정보128-layer — 데이터를 실제로 저장하는 플래시 메모리 구성입니다.
표시된 판단은 공개된 제품 사양을 규칙에 따라 정리한 참고 정보입니다. 데이터·평가 방법 보기
이 제품에 대해 궁금한 점
Samsung 980 1 TB (V-NAND V6 512Gb)의 인터페이스는 무엇인가요?
PCIe 3.0 x4 규격을 사용합니다. 장착할 시스템이 같은 규격을 지원하는지 확인해야 합니다.
Samsung 980 1 TB (V-NAND V6 512Gb)의 읽기 속도는 어느 정도인가요?
표기된 순차 읽기 속도는 3,500 MB/s입니다. 실제 속도는 시스템과 작업 유형에 따라 달라질 수 있습니다.
PlayStation 5에서 사용할 수 있나요?
수집된 사양에는 PS5 호환 제품으로 표시되어 있습니다. 장착 공간과 방열판 조건도 함께 확인하세요.
스펙매치 자체 점수는 어떻게 계산하나요?
가격을 제외하고 공개된 속도, 내구성, 기능, 소비전력 항목만 동일한 규칙으로 환산합니다. 누락된 항목은 점수 계산에서 제외합니다.
Samsung 980 1 TB (V-NAND V6 512Gb)에 DRAM이 있나요?
별도 DRAM 대신 시스템 메모리를 활용하는 HMB 구성으로 표시되어 있습니다.
Samsung 980 1 TB (V-NAND V6 512Gb)의 쓰기 내구성은 얼마인가요?
표기 쓰기 내구성은 600 TBW입니다. 실제 수명은 쓰기 패턴과 온도, 여유 공간에 따라 달라질 수 있습니다.
전체 사양
기본 정보
- 용량
- 1 TB (1024 GB)
- 용량 옵션
- 250 GB 500 GB 1 TB
- 하드웨어 버전
- V-NAND V6 512Gb 250 GB 500 GB 1 TB V-NAND V6P 512Gb 500 GB 1 TB 980 (V-NAND V6 512Gb) 980 (V-NAND V6P 512Gb)
- 오버프로비저닝
- 70.3 GB / 7.4 %
- 생산 상태
- 생산 중
- 출시일
- Sep 2020
- 출시 가격
- 130 USD
- 제품 번호
- MZ-V8V1T0BW
- 대상 시장
- 일반 소비자용
규격 및 연결
- 폼팩터
- M.2 2280 (Single-Sided)
- 인터페이스
- PCIe 3.0 x4
- 프로토콜
- NVMe 1.4
- 소비전력
- 0.05 W (Idle) 4.6 W (Avg) 5.1 W (Max)
컨트롤러
- 제조사
- Samsung
- 모델명
- Pablo (S4LR033)
- 아키텍처
- ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-R5
- 코어 구성
- 5-Core
- 파운드리
- Samsung FinFET
- 제조 공정
- 14 nm
- 플래시 채널
- 4 @ 1,200 MT/s
- 칩 활성 수
- 4
- 컨트롤러 기능
- HMB (enabled)
낸드 플래시
- 제조사
- Samsung
- 모델명
- V-NAND V6
- 종류
- TLC
- 적층 기술
- 128-layer
- 속도
- 1200 MT/s
- 용량
- 1 chip @ 8 Tbit
- Toggle 규격
- 4.0
- 셀 구조
- Charge Trap
- 제조 공정
- 19 nm
- 다이 면적
- 102 mm² (5.0 Gbit/mm²)
- 칩당 다이 수
- 16 dies @ 512 Gbit
- 다이당 플레인 수
- 2
- 다이당 데크 수
- 1
- 워드라인
- 136 per NAND String 94.1% Vertical Efficiency
- 읽기 지연시간(tR)
- 45 µs
- 프로그램 시간(tProg)
- 390 µs
- 블록 삭제 시간(tBERS)
- 3.5 ms
- 다이 읽기 속도
- 711 MB/s
- 다이 쓰기 속도
- 82 MB/s
- 낸드 최대 내구성
- 3000 P/E Cycles
- 페이지 크기
- 16 KB
DRAM 캐시
- 종류
- 없음
- 호스트 메모리 버퍼(HMB)
- 64 MB
성능 및 내구성
- 순차 읽기
- 3,500 MB/s
- 순차 쓰기
- 3,000 MB/s
- 랜덤 읽기
- 480,000 IOPS
- 랜덤 쓰기
- 500,000 IOPS
- 쓰기 내구성
- 600 TBW
- 보증 기간
- 5 Years
- 평균 무고장 시간(MTBF)
- 1.5 Million Hours
- 일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
- 0.3
- SLC 쓰기 캐시
- approx. 160 GB (dynamic only)
- 캐시 소진 후 속도
- approx. 430 MB/s
지원 기능
- TRIM 지원
- 지원
- S.M.A.R.T. 지원
- 지원
- 전원 손실 보호
- 미지원
- 암호화
- AES-128 AES-256 TCG Opal
- RGB 조명
- 미지원
- PS5 호환
- 지원
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