SSD / 제품 정보
Samsung 870 QVO 4 TB
Samsung 870 QVO 4 TB는 용량 4 TB (4000 GB), 인터페이스 SATA 6 Gbps, 순차 읽기 560 MB/s, 순차 쓰기 530 MB/s, 쓰기 내구성 1440 TBW 사양을 갖춘 SSD입니다. 주요 규격과 성능, 내구성 정보를 한국어로 확인해 보세요.
SSD / QUICK VIEW
SSD
SOLID STATE DRIVE
핵심 사양
구매 전에 먼저 볼 정보
- 용량
- 4 TB (4000 GB)
- 폼팩터
- 2.5"
- 인터페이스
- SATA 6 Gbps
- 순차 읽기
- 560 MB/s
- 순차 쓰기
- 530 MB/s
- 쓰기 내구성
- 1440 TBW
SPEC MATCH VERDICT
Samsung 870 QVO 4 TB 핵심 결론
인터페이스 정보 미상 인터페이스 기반 제품이며, 공개된 사양을 기준으로 한 자체 평가는 데이터 부족으로 산정 보류입니다. 가격은 평가에 포함하지 않았고 실제 성능은 시스템 구성에 따라 달라질 수 있습니다.
—/100
평가 기준 v2.0
동급 성능
—
내구성
—
기능
45
효율
—
호환성과 추천 대상
- 인터페이스: 정보 없음
- 폼팩터: 정보 없음
- PS5 호환 여부는 확인되지 않았습니다.
- 운영체제와 일반 프로그램 저장
- 실측 벤치마크만으로 구매를 결정하려는 경우
이 SSD를 어떻게 봐야 할까요?
- SATA 인터페이스에서 기대할 수 있는 상위권 순차 읽기 속도를 제공합니다.
- 순차 쓰기 530 MB/s 사양으로 파일 복사 성능을 가늠할 수 있습니다.
- 쓰기 내구성은 1440 TBW로 명시되어 있습니다.
- 전원 손실 보호 기능을 지원하지 않는 것으로 표시됩니다.
- 기존 SATA 노트북·데스크톱의 저장장치 교체
인터페이스SATA 6 Gbps — SSD와 시스템이 데이터를 주고받는 연결 규격입니다.
NAND 정보92-layer — 데이터를 실제로 저장하는 플래시 메모리 구성입니다.
표시된 판단은 공개된 제품 사양을 규칙에 따라 정리한 참고 정보입니다. 데이터·평가 방법 보기
이 제품에 대해 궁금한 점
Samsung 870 QVO 4 TB의 인터페이스는 무엇인가요?
인터페이스 정보가 확인되지 않았습니다.
Samsung 870 QVO 4 TB의 읽기 속도는 어느 정도인가요?
공개된 순차 읽기 속도를 확인할 수 없습니다.
PlayStation 5에서 사용할 수 있나요?
PS5 호환 여부가 명시되지 않아 제조사의 최신 호환 정보를 확인해야 합니다.
스펙매치 자체 점수는 어떻게 계산하나요?
가격을 제외하고 공개된 속도, 내구성, 기능, 소비전력 항목만 동일한 규칙으로 환산합니다. 누락된 항목은 점수 계산에서 제외합니다.
전체 사양
기본 정보
- 용량
- 4 TB (4000 GB)
- 용량 옵션
- 1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
- 오버프로비저닝
- 370.7 GB / 10.0 %
- 생산 상태
- 생산 중
- 출시일
- Jun 30th, 2020
- 출시 가격
- 500 USD
- 제품 번호
- MZ-77Q4T0
- 대상 시장
- 일반 소비자용
규격 및 연결
- 폼팩터
- 2.5"
- 인터페이스
- SATA 6 Gbps
- 프로토콜
- AHCI
- 소비전력
- 0.04 W (Idle) 3.2 W (Avg) 5.5 W (Max)
컨트롤러
- 제조사
- Samsung
- 모델명
- MKX (Metis S4LR059)
- 아키텍처
- ARM 32-bit Cortex-R4
- 코어 구성
- 트리플 코어
- 파운드리
- Samsung FinFET
- 제조 공정
- 14 nm
- 플래시 채널
- 8
- 칩 활성 수
- 8
- 컨트롤러 기능
- DRAM (enabled)
낸드 플래시
- 제조사
- Samsung
- 모델명
- V-NAND V5
- 제품 번호
- K9XVGB8J1A-CCK0
- 종류
- QLC
- 적층 기술
- 92-layer
- 속도
- 1200 MT/s
- 용량
- 4 chips @ 8 Tbit
- Toggle 규격
- 4.0
- 셀 구조
- Charge Trap
- 제조 공정
- 19 nm
- 다이 면적
- 136 mm² (7.5 Gbit/mm²)
- 칩당 다이 수
- 8 dies @ 1 Tbit
- 다이당 플레인 수
- 2
- 다이당 데크 수
- 1
- 워드라인
- 100 per NAND String 92.0% Vertical Efficiency
- 읽기 지연시간(tR)
- 110 µs
- 프로그램 시간(tProg)
- 2000 µs
- 블록 삭제 시간(tBERS)
- 3.5 ms
- 다이 쓰기 속도
- 18 MB/s
- 페이지 크기
- 16 KB
DRAM 캐시
- 종류
- LPDDR4-1866
- 모델명
- SAMSUNG K4FBE604HM-BGCH
- 용량
- 4096 MB (1x 4096 MB)
- 구성
- 32Gx16
성능 및 내구성
- 순차 읽기
- 560 MB/s
- 순차 쓰기
- 530 MB/s
- 랜덤 읽기
- 98,000 IOPS
- 랜덤 쓰기
- 88,000 IOPS
- 쓰기 내구성
- 1440 TBW
- 보증 기간
- 3 Years
- 평균 무고장 시간(MTBF)
- 1.5 Million Hours
- 일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
- 0.3
- SLC 쓰기 캐시
- approx. 78 GB (72 GB Dynamic + 6 GB Static)
- 캐시 소진 후 속도
- approx. 160 MB/s
지원 기능
- TRIM 지원
- 지원
- S.M.A.R.T. 지원
- 지원
- 전원 손실 보호
- 미지원
- 암호화
- AES-128 AES-256 TCG Opal
- RGB 조명
- 미지원
- PS5 호환
- 미지원
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