SSD / 제품 정보
Corsair MP510 960 GB (Kioxia BiCS3)
Corsair MP510 960 GB (Kioxia BiCS3)는 용량 960 GB, 인터페이스 PCIe 3.0 x4, 순차 읽기 3,480 MB/s, 순차 쓰기 3,000 MB/s, 쓰기 내구성 1700 TBW 사양을 갖춘 SSD입니다. 주요 규격과 성능, 내구성 정보를 한국어로 확인해 보세요.
핵심 사양
구매 전에 먼저 볼 정보
- 용량
- 960 GB
- 폼팩터
- M.2 2280 (Double-Sided)
- 인터페이스
- PCIe 3.0 x4
- 순차 읽기
- 3,480 MB/s
- 순차 쓰기
- 3,000 MB/s
- 쓰기 내구성
- 1700 TBW
Corsair MP510 960 GB (Kioxia BiCS3) 핵심 결론
PCIe 3.0 x4 인터페이스 기반 제품이며, 공개된 사양을 기준으로 한 자체 평가는 79점입니다. 가격은 평가에 포함하지 않았고 실제 성능은 시스템 구성에 따라 달라질 수 있습니다.
동급 제품에서의 위치
같은 PCIE 3 소비자용 제품군과 비교했습니다. 비교 표본은 164개입니다.
동급 중앙값 3,200.0
동급 중앙값 1,880.0
동급 중앙값 2,000.0 TBW/TB
동급 중앙값 3.3 W
호환성과 추천 대상
- 인터페이스: PCIe 3.0 x4
- 폼팩터: M.2 2280 (Double-Sided)
- 낮은 PCIe 세대 슬롯에서도 작동할 수 있지만 최대 속도는 슬롯 규격에 제한됩니다.
- PS5 비호환으로 표시된 제품입니다.
- 운영체제와 일반 프로그램 저장
- 쓰기 작업이 비교적 많은 작업용 PC
- 실측 벤치마크만으로 구매를 결정하려는 경우
이 SSD를 어떻게 봐야 할까요?
- 순차 읽기 3,480 MB/s로 NVMe 기반 게임과 일반 작업에 충분한 성능입니다.
- 순차 쓰기 3,000 MB/s 사양으로 파일 복사 성능을 가늠할 수 있습니다.
- 쓰기 내구성은 1700 TBW로 명시되어 있습니다.
- 전원 손실 보호 기능을 지원하지 않는 것으로 표시됩니다.
- 게임용 PC와 빠른 부팅·앱 실행이 필요한 시스템
인터페이스PCIe 3.0 x4 — SSD와 시스템이 데이터를 주고받는 연결 규격입니다.
NAND 정보64-layer — 데이터를 실제로 저장하는 플래시 메모리 구성입니다.
표시된 판단은 공개된 제품 사양을 규칙에 따라 정리한 참고 정보입니다. 데이터·평가 방법 보기
이 제품에 대해 궁금한 점
Corsair MP510 960 GB (Kioxia BiCS3)의 인터페이스는 무엇인가요?
PCIe 3.0 x4 규격을 사용합니다. 장착할 시스템이 같은 규격을 지원하는지 확인해야 합니다.
Corsair MP510 960 GB (Kioxia BiCS3)의 읽기 속도는 어느 정도인가요?
표기된 순차 읽기 속도는 3,480 MB/s입니다. 실제 속도는 시스템과 작업 유형에 따라 달라질 수 있습니다.
PlayStation 5에서 사용할 수 있나요?
수집된 사양에는 PS5 비호환으로 표시되어 있습니다.
스펙매치 자체 점수는 어떻게 계산하나요?
가격을 제외하고 공개된 속도, 내구성, 기능, 소비전력 항목만 동일한 규칙으로 환산합니다. 누락된 항목은 점수 계산에서 제외합니다.
Corsair MP510 960 GB (Kioxia BiCS3)에 DRAM이 있나요?
컨트롤러 사양에 DRAM 탑재 제품으로 표시되어 있습니다.
Corsair MP510 960 GB (Kioxia BiCS3)의 쓰기 내구성은 얼마인가요?
표기 쓰기 내구성은 1700 TBW입니다. 실제 수명은 쓰기 패턴과 온도, 여유 공간에 따라 달라질 수 있습니다.
전체 사양
기본 정보
- 용량
- 960 GB
- 용량 옵션
- 240 GB 480 GB 960 GB 1.9 TB
- 오버프로비저닝
- 129.9 GB / 14.5 %
- 생산 상태
- 생산 중
- 출시일
- Oct 16th, 2016
- 출시 가격
- 240 USD
- 제품 번호
- CSSD-F960GBMP510B
- 대상 시장
- 일반 소비자용
규격 및 연결
- 폼팩터
- M.2 2280 (Double-Sided)
- 인터페이스
- PCIe 3.0 x4
- 프로토콜
- NVMe 1.3
- 소비전력
- 0.43 W (Idle) 3.0 W (Avg) 4.9 W (Max)
컨트롤러
- 제조사
- Phison
- 모델명
- PS5012-E12-27
- 아키텍처
- ARM 32-bit Cortex-R5
- 코어 구성
- 쿼드 코어
- 동작 속도
- 667 MHz
- 파운드리
- TSMC
- 제조 공정
- 28 nm
- 플래시 채널
- 8 @ 667 MT/s
- 칩 활성 수
- 4
- 컨트롤러 기능
- DRAM (enabled)
낸드 플래시
- 제조사
- Toshiba
- 모델명
- BiCS3
- 제품 번호
- TABBG55AIV
- 종류
- TLC
- 적층 기술
- 64-layer
- 속도
- 533 MT/s
- 용량
- 4 chips @ 2 Tbit
- ONFI 규격
- 3.2
- Toggle 규격
- 2.0
- 셀 구조
- Charge Trap
- 제조 공정
- 19 nm
- 칩당 다이 수
- 8 dies @ 256 Gbit
- 다이당 플레인 수
- 2
- 다이당 데크 수
- 2
- 읽기 지연시간(tR)
- 80 µs
- 프로그램 시간(tProg)
- 695 µs
- 다이 읽기 속도
- 400 MB/s
- 다이 쓰기 속도
- 46 MB/s
- 낸드 최대 내구성
- 3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
- 페이지 크기
- 16 KB
- 블록 크기
- 768 Pages
- 플레인 크기
- 1478 Blocks
DRAM 캐시
- 종류
- DDR4-2400 CL17
- 모델명
- SK Hynix H5AN4G8NBJR-UHC
- 용량
- 1024 MB (2x 512 MB)
- 구성
- 4Gx16
성능 및 내구성
- 순차 읽기
- 3,480 MB/s
- 순차 쓰기
- 3,000 MB/s
- 랜덤 읽기
- 610,000 IOPS
- 랜덤 쓰기
- 570,000 IOPS
- 쓰기 내구성
- 1700 TBW
- 보증 기간
- 5 Years
- 평균 무고장 시간(MTBF)
- 2.0 Million Hours
- 일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
- 1.0
- SLC 쓰기 캐시
- approx. 30 GB (dynamic only)
- 캐시 소진 후 속도
- approx. 1050 MB/s
지원 기능
- TRIM 지원
- 지원
- S.M.A.R.T. 지원
- 지원
- 전원 손실 보호
- 미지원
- 암호화
- AES-256
- RGB 조명
- 미지원
- PS5 호환
- 미지원
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