SSD / 나란히 비교

Western Digital SN8100 8 TBvsWestern Digital SN750 250 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Western Digital SN8100 8 TB87/100종합 우세
VS
Western Digital SN750 250 GB61/100
동급 성능 99우세 39
내구성 75 84우세
기능 83우세 81
효율 74

한눈에 보는 결론Western Digital SN8100 8 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN750 250 GB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
정보 없음 512 MB (1x 512 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB 250 GB 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB
오버프로비저닝
741.4 GB / 10.0 % 23.2 GB / 10.0 %
출시일
May 2025 Jan 18th, 2019
출시 가격
1000 USD 80 USD
제품 번호
WDS800T1X0M-00CMT0 WDS250G3X0C-00SJG
폼팩터
M.2 2280 (Double-Sided) M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
Unknown (Idle) 7.3 W (Avg) Unknown (Max) 정보 없음
제조사
Kioxia Toshiba
모델명
BiCS8 SK Hynix H5AN8G6NAFR-UHC
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
5-Core 트리플 코어
동작 속도
1,250 MHz
파운드리
TSMC FinFET TSMC
제조 공정
6 nm 19 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s 8 @ 800 MT/s
종류
DDR4 DDR4-2400 CL17
적층 기술
218-layer 64-layer
속도
3600 MT/s 533 MT/s
Toggle 규격
5.1 2.0
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 4 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
40 µs 80 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms
다이 쓰기 속도
205 MB/s 46 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles 3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
순차 읽기
14,900 MB/s우세 3,100 MB/s
순차 쓰기
13,200 MB/s우세 1,600 MB/s
랜덤 읽기
2,200,000 IOPS우세 220,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,400,000 IOPS우세 180,000 IOPS
쓰기 내구성
4800 TBW우세 200 TBW
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 0.4
암호화
TCG Opal 미지원
PS5 호환
지원 미지원
리브랜딩명
(Rebranded by Sandisk)
ONFI 규격
3.2
프로그램 시간(tProg)
695 µs
다이 읽기 속도
400 MB/s
블록 크기
768 Pages
플레인 크기
1478 Blocks
구성
4Gx16