SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Western Digital SN8100 8 TBvsWestern Digital SN730 256 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Western Digital SN8100 8 TB87/100종합 우세
VS
Western Digital SN730 256 GB68/100
동급 성능 99우세 45
내구성 75 83우세
기능 83 83
효율 74 100우세

한눈에 보는 결론Western Digital SN8100 8 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN730 256 GB은(는) 내구성·효율 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
정보 없음 256 MB (1x 256 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB 256 GB 512 GB 1 TB
오버프로비저닝
741.4 GB / 10.0 % 17.6 GB / 7.4 %
출시일
May 2025 2019
출시 가격
1000 USD 89 USD
제품 번호
WDS800T1X0M-00CMT0 SDBPNTY-256G
폼팩터
M.2 2280 (Double-Sided) M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
Unknown (Idle) 7.3 W (Avg) Unknown (Max) 0.10 W (Idle) 2.0 W (Avg) 3.9 W (Max)
제조사
Kioxia Toshiba
모델명
BiCS8 Samsung
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0 ARM 32-bit
코어 구성
5-Core 트리플 코어
동작 속도
1,250 MHz —
파운드리
TSMC FinFET TSMC
제조 공정
6 nm 19 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s 8 @ 800 MT/s
적층 기술
218-layer 96-layer
속도
3600 MT/s 533 MT/s .. 800 MT/s
Toggle 규격
5.1 3.0
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 4 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency 109 per NAND String 88.1% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
40 µs 59 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms —
다이 쓰기 속도
205 MB/s 56 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles 1500 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
순차 읽기
14,900 MB/s우세 3,150 MB/s
순차 쓰기
13,200 MB/s우세 2,100 MB/s
랜덤 읽기
2,200,000 IOPS우세 270,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,400,000 IOPS우세 280,000 IOPS
쓰기 내구성
4800 TBW우세 200 TBW
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 0.4
암호화
TCG Opal AES-256
PS5 호환
지원 미지원
프로그램 시간(tProg)
— 625 µs
다이 읽기 속도
— 551 MB/s
블록 크기
— 1152 Pages
플레인 크기
— 1980 Blocks