SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Western Digital SN8100 8 TBvsWestern Digital SN550 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Western Digital SN8100 8 TB87/100종합 우세
VS
Western Digital SN550 2 TB61/100
동급 성능 99우세 41
내구성 75 75
기능 83우세 74
효율 74 91우세

한눈에 보는 결론Western Digital SN8100 8 TB은(는) 동급 성능·기능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN550 2 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. 내구성 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
정보 없음 2 chips @ 8 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB 250 GB 500 GB 1 TB 2 TB
오버프로비저닝
741.4 GB / 10.0 % 140.7 GB / 7.4 %
출시일
May 2025 Dec 10th, 2019
출시 가격
1000 USD —
제품 번호
WDS800T1X0M-00CMT0 WDS200T2B0C
폼팩터
M.2 2280 (Double-Sided) M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
Unknown (Idle) 7.3 W (Avg) Unknown (Max) Unknown (Idle) Unknown (Avg) 3.9 W (Max)
제조사
Kioxia Toshiba
모델명
BiCS8 BiCS4
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
5-Core 트리플 코어
동작 속도
1,250 MHz —
파운드리
TSMC FinFET TSMC FinFEt
제조 공정
6 nm 19 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s 4 @ 1,200 MT/s
컨트롤러 기능
DRAM (enabled) HMB (enabled)
종류
DDR4 TLC
적층 기술
218-layer 96-layer
속도
3600 MT/s 800 MT/s
Toggle 규격
5.1 3.0
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²) 86 mm² (6.0 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency 109 per NAND String 88.1% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
40 µs 58 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms —
다이 쓰기 속도
205 MB/s 57 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles 3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
순차 읽기
14,900 MB/s우세 2,600 MB/s
순차 쓰기
13,200 MB/s우세 1,800 MB/s
랜덤 읽기
2,200,000 IOPS우세 360,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,400,000 IOPS우세 384,000 IOPS
쓰기 내구성
4800 TBW우세 1200 TBW
평균 무고장 시간(MTBF)
1.8 Million Hours우세 1.7 Million Hours
암호화
TCG Opal 미지원
PS5 호환
지원 미지원
리브랜딩명
— (Rebranded as Sandisk)
ONFI 규격
— 4.0
프로그램 시간(tProg)
— 561 µs
다이 읽기 속도
— 551 MB/s
블록 크기
— 1152 Pages
플레인 크기
— 1822 Blocks
종류 및 용량
— 정보 없음