SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Western Digital SN8100 8 TBvsSamsung 9100 Pro (w/ Heatsink) 8 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
99
99
내구성
75
75
기능
83
83
효율
74
—
한눈에 보는 결론동급 성능·내구성·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
정보 없음
8192 MB
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
오버프로비저닝
741.4 GB / 10.0 %
741.4 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
May 2025
Feb 25th, 2025
출시 가격
1000 USD
—
제품 번호
WDS800T1X0M-00CMT0
MZ-VAP8T0
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Double-Sided)
M.2 2280 (Double-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4
PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 2.0
소비전력
Unknown (Idle) 7.3 W (Avg) Unknown (Max)
정보 없음
제조사
Kioxia
Samsung
모델명
BiCS8
Samsung
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0
ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
5-Core
5-Core
동작 속도
1,250 MHz
—
파운드리
TSMC FinFET
Samsung FinFET
제조 공정
6 nm
5 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s
8 @ 2,400 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
DRAM (enabled)
DRAM (enabled)
종류
DDR4
LPDDR4X
적층 기술
218-layer
236-layer
속도
3600 MT/s
2400 MT/s
Toggle 규격
5.1
5.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²)
89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit
16 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
—
읽기 지연시간(tR)
40 µs
40 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms
4.0 ms
다이 쓰기 속도
205 MB/s
164 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles
—
페이지 크기
16 KB
16 KB
순차 읽기
14,900 MB/s우세
14,800 MB/s
순차 쓰기
13,200 MB/s
13,400 MB/s우세
랜덤 읽기
2,200,000 IOPS
2,200,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,400,000 IOPS
2,600,000 IOPS우세
쓰기 내구성
4800 TBW
4800 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.8 Million Hours
—
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.3
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
TCG Opal
AES-256 TCG Opal
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
프로그램 시간(tProg)
—
390 µs
다이 읽기 속도
—
1600 MB/s