SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Western Digital SN8100 8 TBvsIntel DC P4510 8 TB (IMFT B17A 512Gb FortisMax)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Western Digital SN8100 8 TB87/100종합 우세
VS
Intel DC P4510 8 TB (IMFT B17A 512Gb FortisMax)71/100
동급 성능 99우세 67
내구성 75우세 65
기능 83 94우세
효율 74우세 60

한눈에 보는 결론Western Digital SN8100 8 TB은(는) 동급 성능·내구성·효율 항목에서 앞섭니다. Intel DC P4510 8 TB (IMFT B17A 512Gb FortisMax)은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
정보 없음 10240 MB (10x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB 4 TB 8 TB
생산 상태
생산 중 단종
출시일
May 2025 Feb 16th, 2018
출시 가격
1000 USD —
제품 번호
WDS800T1X0M-00CMT0 SSDPE2KX080T8
대상 시장
일반 소비자용 기업용
폼팩터
M.2 2280 (Double-Sided) U.2
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
Unknown (Idle) 7.3 W (Avg) Unknown (Max) 5.0 W (Idle) 10.0 W (Avg) 16.0 W (Max)
제조사
Kioxia Micron
모델명
BiCS8 Micron MT40A2G4WE-083E:B (D9TBJ)
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0 ARM Cortex-A
코어 구성
5-Core 듀얼 코어
동작 속도
1,250 MHz 1,200 MHz
파운드리
TSMC FinFET TSMC
제조 공정
6 nm 20 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s 12 @ 1,600 MT/s
칩 활성 수
4 —
종류
DDR4 DDR4-2400 CL17
적층 기술
218-layer 64-layer
속도
3600 MT/s 50 MT/s .. 667 MT/s
Toggle 규격
5.1 —
셀 구조
Charge Trap Floating Gate
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²) 108 mm² (4.7 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit —
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency 74 per NAND String 86.5% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
40 µs 88 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms 15 ms
다이 쓰기 속도
205 MB/s 69 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles 10000 P/E Cycles (40000 in SLC Mode)
순차 읽기
14,900 MB/s우세 3,200 MB/s
순차 쓰기
13,200 MB/s우세 3,000 MB/s
랜덤 읽기
2,200,000 IOPS우세 641,800 IOPS
랜덤 쓰기
2,400,000 IOPS우세 134,500 IOPS
쓰기 내구성
4800 TBW 13880 TBW우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.8 Million Hours 2.0 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 1.0
SLC 쓰기 캐시
지원 —
전원 손실 보호
미지원 지원
암호화
TCG Opal AES-256
PS5 호환
지원 미지원
ONFI 규격
— 4.0
프로그램 시간(tProg)
— 880 µs
다이 읽기 속도
— 727 MB/s
블록 크기
— 2304 Pages
플레인 크기
— 504 Blocks
구성
— 8Gx4
쓰기 캐시
— N/A