SSD / 나란히 비교

Western Digital SN8100 4 TBvsWestern Digital SN850X 4 TB (Kioxia TLC BiCS5 512Gb)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Western Digital

Western Digital SN850X 4 TB (Kioxia TLC BiCS5 512Gb)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Western Digital SN8100 4 TB88/100종합 우세
VS
Western Digital SN850X 4 TB (Kioxia TLC BiCS5 512Gb)78/100
동급 성능 100우세 77
내구성 75 75
기능 83 83
효율 75

한눈에 보는 결론Western Digital SN8100 4 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. 내구성·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
4096 MB (1x 4096 MB) 2048 MB (1x 2048 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB 1 TB 2 TB 4 TB
출시일
May 2025 May 9th, 2022
제품 번호
정보 없음 WDS400T2XHE
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2280 (Double-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
Unknown (Idle) 7.0 W (Avg) Unknown (Max) 정보 없음
모델명
BiCS8 Micron MT40A1G16TB-062E:F (D8CJX)
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
5-Core
동작 속도
1,250 MHz
제조 공정
6 nm 16 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s 8 @ 1,200 MT/s
종류
DDR4 DDR4-3200 CL22
적층 기술
218-layer 112-layer
속도
3600 MT/s 1200 MT/s
Toggle 규격
5.1 4.0
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency 128 per NAND String 87.5% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
40 µs 56 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms
다이 쓰기 속도
205 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles 3000 P/E Cycles (100000 in SLC Mode)
순차 읽기
14,900 MB/s우세 7,300 MB/s
순차 쓰기
14,000 MB/s우세 6,600 MB/s
랜덤 읽기
2,300,000 IOPS우세 1,200,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,400,000 IOPS우세 1,100,000 IOPS
출시 가격
820 USD
리브랜딩명
006777 1T00 3203DCELC0LE (Rebranded by SanDisk)
블록 크기
1344 Pages
기타 리브랜딩
006768 1T00 (Rebranded by SanDisk)
구성
16Gx16