SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Western Digital SN8100 2 TBvsWestern Digital SN350 2 TB (QLC)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Western Digital SN8100 2 TB89/100종합 우세
VS
Western Digital SN350 2 TB (QLC)58/100
동급 성능 100우세 57
내구성 75우세 32
기능 83우세 74
효율 89 100우세

한눈에 보는 결론Western Digital SN8100 2 TB은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN350 2 TB (QLC)은(는) 효율 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
2048 MB (1x 2048 MB) 1 chip @ Unknown
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB 1 TB 2 TB
출시일
May 2025 Feb 15th, 2021
제품 번호
정보 없음 WDS200T3G0C
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
1.4 W (Idle) 4.2 W (Avg) 7.5 W (Max) 0.11 W (Idle) Unknown (Avg) 5.0 W (Max)
제조사
Kioxia Toshiba
모델명
BiCS8 BiCS4
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
5-Core 트리플 코어
동작 속도
1,250 MHz —
제조 공정
6 nm 16 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s 4 @ 1,200 MT/s
컨트롤러 기능
DRAM (enabled) HMB (enabled)
종류
DDR4 없음
적층 기술
218-layer 96-layer
속도
3600 MT/s 533 MT/s .. 800 MT/s
Toggle 규격
5.1 3.2
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²) 158 mm² (8.4 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit —
다이당 플레인 수
4 2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency 109 per NAND String 88.1% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
40 µs 160 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms —
다이 쓰기 속도
205 MB/s 10 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles —
순차 읽기
14,900 MB/s우세 3,200 MB/s
순차 쓰기
14,000 MB/s우세 3,000 MB/s
랜덤 읽기
2,300,000 IOPS우세 500,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,400,000 IOPS우세 450,000 IOPS
쓰기 내구성
1200 TBW우세 100 TBW
보증 기간
5 Years우세 3 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.8 Million Hours우세 1.0 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 0.0
SLC 쓰기 캐시
approx. 600 GB approx. 480 GB (dynamic only)
캐시 소진 후 속도
approx. 3892 MB/s approx. 180 MB/s
캐시 폴딩 속도
2000 MB/s —
암호화
TCG Opal 미지원
PS5 호환
지원 미지원
하드웨어 버전
— QLC 1 TB 2 TB TLC 240 GB 480 GB 960 GB SN350 (QLC) SN350 (TLC)
출시 가격
— 44 USD
프로그램 시간(tProg)
— 3290 µs
다이 읽기 속도
— 200 MB/s
블록 크기
— 1536 Pages
플레인 크기
— 3642 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
— 64 MB