SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Western Digital SN8100 1 TBvsWestern Digital SN750 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Western Digital SN8100 1 TB83/100종합 우세
VS
Western Digital SN750 1 TB72/100
동급 성능 90우세 61
내구성 75 75
기능 83우세 81
효율 75 98우세

한눈에 보는 결론Western Digital SN8100 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN750 1 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. 내구성·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB 250 GB 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB
출시일
May 2025 Jan 18th, 2019
제품 번호
정보 없음 WDS100T3X0C-00SJG
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
Unknown (Idle) 7.0 W (Avg) Unknown (Max) 1.2 W (Idle) 2.5 W (Avg) 5.8 W (Max)
제조사
Kioxia Toshiba
모델명
BiCS8 SK Hynix H5AN8G6NAFR-UHC
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
5-Core 트리플 코어
동작 속도
1,250 MHz —
파운드리
TSMC FinFET TSMC
제조 공정
6 nm 19 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s 8 @ 800 MT/s
종류
DDR4 DDR4-2400 CL17
적층 기술
218-layer 64-layer
속도
3600 MT/s 533 MT/s
Toggle 규격
5.1 2.0
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²) 132 mm² (3.9 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency —
읽기 지연시간(tR)
40 µs 80 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms —
다이 쓰기 속도
205 MB/s 46 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles 3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
순차 읽기
14,900 MB/s우세 3,400 MB/s
순차 쓰기
11,000 MB/s우세 3,100 MB/s
랜덤 읽기
1,600,000 IOPS우세 550,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,400,000 IOPS우세 520,000 IOPS
SLC 쓰기 캐시
지원 approx. 14 GB (static only)
암호화
TCG Opal 미지원
PS5 호환
지원 미지원
출시 가격
— 250 USD
리브랜딩명
— 05560 512G (Rebranded by Sandisk)
프로그램 시간(tProg)
— 695 µs
다이 읽기 속도
— 400 MB/s
블록 크기
— 768 Pages
플레인 크기
— 2732 Blocks
구성
— 8Gx16
캐시 소진 후 속도
— approx. 1600 MB/s