SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Western Digital SN8100 1 TBvsWestern Digital SN570 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Western Digital SN8100 1 TB83/100종합 우세
VS
Western Digital SN570 1 TB70/100
동급 성능 90우세 59
내구성 75 75
기능 83우세 74
효율 75 95우세

한눈에 보는 결론Western Digital SN8100 1 TB은(는) 동급 성능·기능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN570 1 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. 내구성 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1024 MB (1x 1024 MB) 1 chip @ 8 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB 250 GB 500 GB 1 TB
출시일
May 2025 Dec 13th, 2021
제품 번호
정보 없음 WDS100T3B0C
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
Unknown (Idle) 7.0 W (Avg) Unknown (Max) 0.87 W (Idle) 3.1 W (Avg) 3.8 W (Max)
모델명
BiCS8 BiCS5
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
5-Core —
동작 속도
1,250 MHz —
제조 공정
6 nm 16 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s 4 @ 1,200 MT/s
컨트롤러 기능
DRAM (enabled) HMB (enabled)
종류
DDR4 없음
적층 기술
218-layer 112-layer
속도
3600 MT/s 1200 MT/s
Toggle 규격
5.1 4.0
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 —
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency 128 per NAND String 87.5% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
40 µs 56 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms —
다이 쓰기 속도
205 MB/s 66 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles 3000 P/E Cycles (100000 in SLC Mode)
순차 읽기
14,900 MB/s우세 3,500 MB/s
순차 쓰기
11,000 MB/s우세 3,000 MB/s
랜덤 읽기
1,600,000 IOPS우세 460,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,400,000 IOPS우세 450,000 IOPS
평균 무고장 시간(MTBF)
1.8 Million Hours우세 1.5 Million Hours
SLC 쓰기 캐시
지원 approx. 13 GB (static only)
암호화
TCG Opal 미지원
PS5 호환
지원 미지원
출시 가격
— 110 USD
리브랜딩명
— 014130 1T00 (Rebranded by Sandisk)
프로그램 시간(tProg)
— 484 µs
다이 읽기 속도
— 571 MB/s
블록 크기
— 1344 Pages
플레인 크기
— 448 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
— 64 MB
캐시 소진 후 속도
— approx. 615 MB/s