SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Western Digital SN8100 1 TBvsCorsair MP700 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Western Digital SN8100 1 TB83/100종합 우세
VS
Corsair MP700 1 TB74/100
동급 성능 90우세 71
내구성 75 79우세
기능 83 83
효율 75우세 60

한눈에 보는 결론Western Digital SN8100 1 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Corsair MP700 1 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1024 MB (1x 1024 MB) 2048 MB (1x 2048 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB 1 TB 2 TB
출시일
May 2025 Jan 27th, 2023
제품 번호
정보 없음 CSSD-F1000GBMP700R2
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2280 (Double-Sided)
소비전력
Unknown (Idle) 7.0 W (Avg) Unknown (Max) Unknown (Idle) Unknown (Avg) 10.0 W (Max)
제조사
Kioxia Micron
모델명
BiCS8 B58R FortisFlash
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0 ARM 32-bit Cortex-R5 + AndesCore 32-bit N25F RISC-V
동작 속도
1,250 MHz 1,000 MHz
파운드리
TSMC FinFET TSMC
제조 공정
6 nm 12 nm
플래시 채널
8 @ 3,600 MT/s 8 @ 2,400 MT/s
종류
DDR4 LPDDR4-4266
적층 기술
218-layer 232-layer
속도
3600 MT/s 2400 MT/s
Toggle 규격
5.1 —
셀 구조
Charge Trap Replacement Gate
다이 면적
44 mm² (23.3 Gbit/mm²) 70 mm² (14.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit 2 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4 6
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency 255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
40 µs 61 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms 15 ms
다이 쓰기 속도
205 MB/s 160 MB/s
순차 읽기
14,900 MB/s우세 9,500 MB/s
순차 쓰기
11,000 MB/s우세 8,500 MB/s
랜덤 읽기
1,600,000 IOPS우세 1,300,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,400,000 IOPS우세 1,600,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW 700 TBW우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.8 Million Hours우세 1.6 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 0.4
암호화
TCG Opal AES-256
출시 가격
— 160 USD
ONFI 규격
— 5.0
프로그램 시간(tProg)
— 600 µs
다이 읽기 속도
— 1574 MB/s
블록 크기
— 2784 Pages
플레인 크기
— 3402 Blocks