SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Western Digital Green SN3000 500 GBvsWestern Digital SN730 512 GB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
61우세
55
내구성
39
75우세
기능
74
83우세
효율
—
100
한눈에 보는 결론Western Digital Green SN3000 500 GB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN730 512 GB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 4 Tbit
512 MB (1x 512 MB)
용량 옵션
500 GB 1 TB 2 TB
256 GB 512 GB 1 TB
오버프로비저닝
46.3 GB / 10.0 %
35.2 GB / 7.4 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Aug 2025
2019
출시 가격
115 USD
152 USD
제품 번호
WDS500G4G0E
SDBPNTY-512G
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 1.3
소비전력
정보 없음
0.10 W (Idle) 2.1 W (Avg) 4.7 W (Max)
제조사
Kioxia
Toshiba
모델명
BiCS8
BiCS4
아키텍처
ARM Cortex-R
ARM 32-bit
플래시 채널
4
8 @ 800 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
DDR4
적층 기술
218-layer
96-layer
속도
3600 MT/s
533 MT/s .. 800 MT/s
Toggle 규격
5.1
3.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
8 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4
2
다이당 데크 수
2
2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
109 per NAND String 88.1% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
1900 µs
625 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms
—
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
4360 Pages
1152 Pages
플레인 크기
527 Blocks
1980 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
5,000 MB/s우세
3,400 MB/s
순차 쓰기
4,100 MB/s우세
2,700 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음
460,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음
400,000 IOPS
쓰기 내구성
100 TBW
300 TBW우세
보증 기간
3 Years
5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.0 Million Hours
1.8 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.2
0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 110 GB
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
미지원
AES-256
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
미지원
코어 구성
—
트리플 코어
파운드리
—
TSMC
제조 공정
—
19 nm
읽기 지연시간(tR)
—
59 µs
다이 읽기 속도
—
551 MB/s
다이 쓰기 속도
—
56 MB/s
낸드 최대 내구성
—
1500 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)