SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Western Digital Green SN3000 500 GBvsSeagate FireCuda 520 500 GB (E16 + Kioxia BiCS4)
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
61우세
39
내구성
39
100우세
기능
74
83우세
효율
—
87
한눈에 보는 결론Western Digital Green SN3000 500 GB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Seagate FireCuda 520 500 GB (E16 + Kioxia BiCS4)은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 4 Tbit
512 MB (1x 512 MB)
용량 옵션
500 GB 1 TB 2 TB
500 GB 1 TB 2 TB
오버프로비저닝
46.3 GB / 10.0 %
46.3 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Aug 2025
2020
출시 가격
115 USD
125 USD
제품 번호
WDS500G4G0E
ZP500GM3A002
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 1.3
소비전력
정보 없음
0.01 W (Idle) 4.6 W (Avg) Unknown (Max)
제조사
Kioxia
Toshiba
모델명
BiCS8
SK Hynix H5AN4G8NBJR
아키텍처
ARM Cortex-R
ARM 32-bit Cortex-R5
플래시 채널
4
8 @ 800 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
DDR4-2400
적층 기술
218-layer
96-layer
속도
3600 MT/s
800 MT/s
Toggle 규격
5.1
3.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
—
다이당 플레인 수
4
2
다이당 데크 수
2
2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
109 per NAND String 88.1% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
1900 µs
561 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms
—
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
4360 Pages
1152 Pages
플레인 크기
527 Blocks
1822 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
N/A
순차 읽기
5,000 MB/s
5,000 MB/s
순차 쓰기
4,100 MB/s우세
2,500 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음
430,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음
630,000 IOPS
쓰기 내구성
100 TBW
850 TBW우세
보증 기간
3 Years
5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.0 Million Hours
—
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.2
0.9
SLC 쓰기 캐시
approx. 110 GB
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
미지원
정보 없음
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
하드웨어 버전
—
E16 + Kioxia BiCS4 500 GB 1 TB 2 TB E16 + Unknown 500 GB 1 TB 2 TB FireCuda 520 (E16 + Kioxia BiCS4) FireCuda 520 (E16 + Unknown)
코어 구성
—
쿼드 코어
동작 속도
—
733 MHz
파운드리
—
TSMC
제조 공정
—
19 nm
ONFI 규격
—
4.0
다이 면적
—
86 mm² (6.0 Gbit/mm²)
읽기 지연시간(tR)
—
58 µs
다이 읽기 속도
—
551 MB/s
다이 쓰기 속도
—
57 MB/s
낸드 최대 내구성
—
3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
구성
—
4Gx8