SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Western Digital Green SN3000 2 TBvsWestern Digital SN8100 2 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
62
100우세
내구성
35
75우세
기능
74
83우세
효율
—
89
한눈에 보는 결론Western Digital SN8100 2 TB은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 16 Tbit
2048 MB (1x 2048 MB)
용량 옵션
500 GB 1 TB 2 TB
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 %
185.4 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Aug 2025
May 2025
출시 가격
407 USD
—
제품 번호
WDS200T4G0E
정보 없음
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 2.0
소비전력
정보 없음
1.4 W (Idle) 4.2 W (Avg) 7.5 W (Max)
제조사
Kioxia
Kioxia
모델명
BiCS8
BiCS8
아키텍처
ARM Cortex-R
ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-M0
플래시 채널
4
8 @ 3,600 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
DDR4
적층 기술
218-layer
218-layer
속도
3600 MT/s
3600 MT/s
Toggle 규격
5.1
5.1
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
칩당 다이 수
8 dies @ 2048 Gbit
8 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
1900 µs
—
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms
5.0 ms
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
4360 Pages
—
플레인 크기
1071 Blocks
—
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
5,000 MB/s
14,900 MB/s우세
순차 쓰기
4,200 MB/s
14,000 MB/s우세
랜덤 읽기
정보 없음
2,300,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음
2,400,000 IOPS
쓰기 내구성
250 TBW
1200 TBW우세
보증 기간
3 Years
5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.0 Million Hours
1.8 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.1
0.3
SLC 쓰기 캐시
지원
approx. 600 GB
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
미지원
TCG Opal
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
코어 구성
—
5-Core
동작 속도
—
1,250 MHz
파운드리
—
TSMC FinFET
제조 공정
—
6 nm
다이 면적
—
44 mm² (23.3 Gbit/mm²)
읽기 지연시간(tR)
—
40 µs
다이 쓰기 속도
—
205 MB/s
낸드 최대 내구성
—
3000 P/E Cycles
캐시 소진 후 속도
—
approx. 3892 MB/s
캐시 폴딩 속도
—
2000 MB/s