SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Western Digital Green SN3000 1 TBvsWestern Digital SN770M 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Western Digital Green SN3000 1 TB61/100
VS
Western Digital SN770M 1 TB64/100종합 우세
동급 성능 62우세 53
내구성 37 75우세
기능 74 74
효율 95 —

한눈에 보는 결론Western Digital Green SN3000 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN770M 1 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 1 chip @ Unknown
출시일
Aug 2025 Sep 2023
출시 가격
205 USD —
제품 번호
WDS100T4G0E WDBDNH0010BBK-WRSN
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2230 (Single-Sided)
소비전력
1.00 W (Idle) 3.1 W (Avg) 3.9 W (Max) 정보 없음
모델명
BiCS8 BiCS5
아키텍처
ARM Cortex-R ARM 32-bit Cortex-R
플래시 채널
4 4 @ 1,600 MT/s
적층 기술
218-layer 112-layer
속도
3600 MT/s 1200 MT/s
Toggle 규격
5.1 4.0
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit —
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 —
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency 128 per NAND String 87.5% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
1900 µs 484 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms —
블록 크기
4360 Pages 1344 Pages
플레인 크기
527 Blocks 448 Blocks
순차 쓰기
4,200 MB/s 4,900 MB/s우세
랜덤 읽기
정보 없음 740,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음 800,000 IOPS
쓰기 내구성
150 TBW 600 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.0 Million Hours 1.8 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.1 0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 222 GB 지원
캐시 폴딩 속도
200 MB/s —
파운드리
— TSMC FinFET
제조 공정
— 16 nm
읽기 지연시간(tR)
— 56 µs
다이 읽기 속도
— 571 MB/s
다이 쓰기 속도
— 66 MB/s
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles (100000 in SLC Mode)