SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Western Digital Green SN3000 1 TBvsCrucial P5 Plus 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
62우세
57
내구성
37
75우세
기능
74
83우세
효율
95우세
89
한눈에 보는 결론Western Digital Green SN3000 1 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Crucial P5 Plus 1 TB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 8 Tbit
1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
500 GB 1 TB 2 TB
500 GB 1 TB 2 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Aug 2025
Aug 3rd, 2021
출시 가격
205 USD
180 USD
제품 번호
WDS100T4G0E
NY124
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 1.4
소비전력
1.00 W (Idle) 3.1 W (Avg) 3.9 W (Max)
0.08 W (Idle) 4.3 W (Avg) 8.6 W (Max)
제조사
Kioxia
Micron
모델명
BiCS8
MT53B512M16D1NP-046 IT:F (FBGA: D8BMZ)
아키텍처
ARM Cortex-R
ARM 32-bit Cortex-R5 + Cortex-M3
플래시 채널
4
8 @ 1,600 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
LPDDR4-2133
적층 기술
218-layer
176-layer
속도
3600 MT/s
1200 MT/s .. 1600 MT/s
Toggle 규격
5.1
—
셀 구조
Charge Trap
Replacement Gate
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit
8 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
195 per NAND String 90.3% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
1900 µs
502 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms
15 ms
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
4360 Pages
2112 Pages
플레인 크기
527 Blocks
550 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
N/A
순차 읽기
5,000 MB/s
6,600 MB/s우세
순차 쓰기
4,200 MB/s
5,000 MB/s우세
랜덤 읽기
정보 없음
630,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음
700,000 IOPS
쓰기 내구성
150 TBW
600 TBW우세
보증 기간
3 Years
5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.0 Million Hours
1.5 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.1
0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 222 GB
approx. 100 GB (dynamic only)
캐시 폴딩 속도
200 MB/s
—
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
미지원
AES-256
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
파운드리
—
Micron
리브랜딩명
—
MT29F4T08EQLEEG8-QB:E
ONFI 규격
—
4.1
다이 면적
—
50 mm² (10.2 Gbit/mm²)
읽기 지연시간(tR)
—
56 µs
다이 읽기 속도
—
1143 MB/s
다이 쓰기 속도
—
127 MB/s
낸드 최대 내구성
—
3000 P/E Cycles (40000 in SLC Mode)
구성
—
8Gx16
캐시 소진 후 속도
—
approx. 1300 MB/s