SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Western Digital Green SN3000 1 TBvsCorsair MP600 Pro NH 1 TB (Phison E18 + Micron B47R)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Corsair

Corsair MP600 Pro NH 1 TB (Phison E18 + Micron B47R)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Western Digital Green SN3000 1 TB61/100
VS
Corsair MP600 Pro NH 1 TB (Phison E18 + Micron B47R)74/100종합 우세
동급 성능 62 70우세
내구성 37 79우세
기능 74 83우세
효율 95우세 60

한눈에 보는 결론Western Digital Green SN3000 1 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. Corsair MP600 Pro NH 1 TB (Phison E18 + Micron B47R)은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
500 GB 1 TB 2 TB 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB
출시일
Aug 2025 Nov 2nd, 2022
출시 가격
205 USD 113 USD
제품 번호
WDS100T4G0E CSSD-F1000GBMP600PNH
소비전력
1.00 W (Idle) 3.1 W (Avg) 3.9 W (Max) Unknown (Idle) Unknown (Avg) 10.1 W (Max)
제조사
Kioxia Micron
모델명
BiCS8 B47R FortisFlash
아키텍처
ARM Cortex-R ARM 32-bit Cortex-R5
플래시 채널
4 8 @ 1,600 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR4
적층 기술
218-layer 176-layer
속도
3600 MT/s 1200 MT/s .. 1600 MT/s
Toggle 규격
5.1 —
셀 구조
Charge Trap Replacement Gate
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 4 dies @ 512 Gbit
워드라인
241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency 195 per NAND String 90.3% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
1900 µs 502 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
5.0 ms 15 ms
블록 크기
4360 Pages 2112 Pages
플레인 크기
527 Blocks 550 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
5,000 MB/s 7,000 MB/s우세
순차 쓰기
4,200 MB/s 5,700 MB/s우세
랜덤 읽기
정보 없음 870,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음 1,200,000 IOPS
쓰기 내구성
150 TBW 700 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.0 Million Hours 1.6 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.1 0.4
SLC 쓰기 캐시
approx. 222 GB 지원
캐시 폴딩 속도
200 MB/s —
암호화
미지원 AES-256
하드웨어 버전
— Phison E18 + Kioxia BiCS5 2 TB 8 TB Phison E18 + Micron B47R 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB MP600 Pro NH (Phison E18 + Kioxia BiCS5) MP600 Pro NH (Phison E18 + Micron B47R)
코어 구성
— 5-Core
동작 속도
— 1,000 MHz
파운드리
— TSMC
제조 공정
— 12 nm
ONFI 규격
— 4.1
다이 면적
— 50 mm² (10.2 Gbit/mm²)
읽기 지연시간(tR)
— 56 µs
다이 읽기 속도
— 1143 MB/s
다이 쓰기 속도
— 127 MB/s
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles (40000 in SLC Mode)