SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Seagate Firecuda X1070 2 TBvsWestern Digital PC SN810 2 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
71우세
57
내구성
75우세
61
기능
77
83우세
효율
92
—
한눈에 보는 결론Seagate Firecuda X1070 2 TB은(는) 동급 성능·내구성 항목에서 앞섭니다. Western Digital PC SN810 2 TB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
2 chips @ 8 Tbit
2048 MB (1x 2048 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB
1 TB 2 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 %
185.4 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Mar 8th, 2026
정보 없음
출시 가격
460 USD
199 USD
제품 번호
ZP2000GS3A001
SDCQNRZ-2T00
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 1.4
소비전력
0.97 W (Idle) 3.6 W (Avg) 5.3 W (Max)
정보 없음
제조사
Micron
Toshiba
모델명
N58R FortisFlash
BiCS4
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-M7
ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
듀얼 코어
—
파운드리
TSMC FinFET
TSMC FinFET
제조 공정
12 nm
19 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
8 @ 1,200 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
리브랜딩명
N-049-0A1 Y706561001 OS2515 (Rebranded by Seagate)
—
종류
없음
DDR4
적층 기술
232-layer
96-layer
속도
2400 MT/s
800 MT/s
ONFI 규격
4.2
4.0
셀 구조
Replacement Gate
Charge Trap
다이 면적
54 mm² (19.0 Gbit/mm²)
86 mm² (6.0 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit
16 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4
2
다이당 데크 수
2
2
워드라인
255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
109 per NAND String 88.1% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
1220 µs
561 µs
다이 쓰기 속도
52 MB/s
57 MB/s
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
3712 Pages
1152 Pages
플레인 크기
566 Blocks
1822 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
7,200 MB/s우세
6,600 MB/s
순차 쓰기
6,500 MB/s우세
5,000 MB/s
랜덤 읽기
900,000 IOPS우세
760,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,000,000 IOPS우세
650,000 IOPS
쓰기 내구성
1200 TBW우세
500 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.8 Million Hours
1.8 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.1
SLC 쓰기 캐시
approx. 428 GB (dynamic only)
지원
캐시 폴딩 속도
200 MB/s
—
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
정보 없음
TCG Opal TCG Pyrite
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
Toggle 규격
—
3.0
읽기 지연시간(tR)
—
58 µs
다이 읽기 속도
—
551 MB/s
낸드 최대 내구성
—
3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)