SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Seagate Firecuda X1070 2 TBvsWestern Digital Black SN770 2 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
71우세
53
내구성
75
75
기능
77우세
74
효율
92
94우세
한눈에 보는 결론Seagate Firecuda X1070 2 TB은(는) 동급 성능·기능 항목에서 앞섭니다. 내구성·효율 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
2 chips @ 8 Tbit
1 chip @ 16 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB
250 GB 500 GB 1 TB 2 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 %
185.4 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Mar 8th, 2026
Feb 2nd, 2022
출시 가격
460 USD
269 USD
제품 번호
ZP2000GS3A001
WDS200T3X0E
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 1.4
소비전력
0.97 W (Idle) 3.6 W (Avg) 5.3 W (Max)
1.0 W (Idle) 3.3 W (Avg) 4.9 W (Max)
제조사
Micron
Kioxia
모델명
N58R FortisFlash
BiCS5
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-M7
ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
듀얼 코어
—
파운드리
TSMC FinFET
TSMC FinFET
제조 공정
12 nm
16 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
4 @ 1,600 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
HMB (enabled)
리브랜딩명
N-049-0A1 Y706561001 OS2515 (Rebranded by Seagate)
—
종류
없음
없음
적층 기술
232-layer
112-layer
속도
2400 MT/s
1200 MT/s
ONFI 규격
4.2
—
셀 구조
Replacement Gate
Charge Trap
다이 면적
54 mm² (19.0 Gbit/mm²)
—
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit
16 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4
2
다이당 데크 수
2
—
워드라인
255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
128 per NAND String 87.5% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
1220 µs
—
다이 쓰기 속도
52 MB/s
—
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
3712 Pages
1344 Pages
플레인 크기
566 Blocks
—
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
64 MB
순차 읽기
7,200 MB/s우세
5,150 MB/s
순차 쓰기
6,500 MB/s우세
4,850 MB/s
랜덤 읽기
900,000 IOPS우세
650,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,000,000 IOPS우세
800,000 IOPS
쓰기 내구성
1200 TBW
1200 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.8 Million Hours
1.8 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 428 GB (dynamic only)
approx. 740 GB (dynamic only)
캐시 폴딩 속도
200 MB/s
560 MB/s
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
정보 없음
미지원
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
Toggle 규격
—
4.0
읽기 지연시간(tR)
—
56 µs
낸드 최대 내구성
—
3000 P/E Cycles (100000 in SLC Mode)