SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Seagate Firecuda X1070 1 TBvsSamsung 990 Evo Plus 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
67우세
54
내구성
75
75
기능
77
77
효율
87
—
한눈에 보는 결론Seagate Firecuda X1070 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. 내구성·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
2 chips @ 4 Tbit
1 chip @ 8 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB
1 TB 2 TB 4 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Mar 8th, 2026
Sep 25th, 2024
출시 가격
240 USD
110 USD
제품 번호
ZP1000GS30001
K9OVGY8J5B-CCK0
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 2.0
소비전력
Unknown (Idle) Unknown (Avg) 4.6 W (Max)
정보 없음
제조사
Micron
Samsung
모델명
N58R FortisFlash
V-NAND V8 (B-Die)
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-M7
ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
듀얼 코어
6-Core
파운드리
TSMC FinFET
Samsung FinFET
제조 공정
12 nm
5 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
4 @ 2,400 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
HMB (enabled)
종류
없음
없음
적층 기술
232-layer
236-layer
속도
2400 MT/s
2400 MT/s
ONFI 규격
4.2
—
셀 구조
Replacement Gate
Charge Trap
다이 면적
54 mm² (19.0 Gbit/mm²)
89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
8 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
워드라인
255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
—
프로그램 시간(tProg)
1220 µs
390 µs
다이 쓰기 속도
52 MB/s
164 MB/s
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
3712 Pages
—
플레인 크기
566 Blocks
—
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
64 MB
순차 읽기
7,200 MB/s우세
7,150 MB/s
순차 쓰기
6,000 MB/s
6,300 MB/s우세
랜덤 읽기
850,000 IOPS
850,000 IOPS
랜덤 쓰기
900,000 IOPS
1,350,000 IOPS우세
쓰기 내구성
600 TBW
600 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.8 Million Hours우세
1.5 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.3
SLC 쓰기 캐시
지원
approx. 114 GB (108 GB Dynamic + 6 GB Static)
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
정보 없음
AES-256 TCG Opal
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
Toggle 규격
—
5.0
읽기 지연시간(tR)
—
40 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
—
4.0 ms
다이 읽기 속도
—
1600 MB/s