SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Seagate Firecuda X1070 1 TBvsSamsung 970 EVO 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
67우세
55
내구성
75
75
기능
77
83우세
효율
87우세
82
한눈에 보는 결론Seagate Firecuda X1070 1 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Samsung 970 EVO 1 TB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다. 내구성 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
2 chips @ 4 Tbit
1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB
250 GB 500 GB 1 TB 2 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
단종
출시일
Mar 8th, 2026
May 7th, 2018
출시 가격
240 USD
450 USD
제품 번호
ZP1000GS30001
K9DUGY8H5A-CCK0
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 1.3
소비전력
Unknown (Idle) Unknown (Avg) 4.6 W (Max)
0.03 W (Idle) 5.7 W (Avg) 10.0 W (Max)
제조사
Micron
Samsung
모델명
N58R FortisFlash
SAMSUNG K4F8E3D4HF-BGCH
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-M7
ARM 32-bit Cortex-R7
코어 구성
듀얼 코어
5-Core
파운드리
TSMC FinFET
Samsung FinFET
제조 공정
12 nm
14 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
8 @ 800 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
LPDDR4-1866
적층 기술
232-layer
64-layer
속도
2400 MT/s
1000 MT/s
ONFI 규격
4.2
—
셀 구조
Replacement Gate
Charge Trap
다이 면적
54 mm² (19.0 Gbit/mm²)
—
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
16 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4
2
다이당 데크 수
2
1
워드라인
255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
72 per NAND String 88.9% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
1220 µs
700 µs
다이 쓰기 속도
52 MB/s
—
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
3712 Pages
—
플레인 크기
566 Blocks
—
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
N/A
순차 읽기
7,200 MB/s우세
3,400 MB/s
순차 쓰기
6,000 MB/s우세
2,500 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세
500,000 IOPS
랜덤 쓰기
900,000 IOPS우세
450,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW
600 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.8 Million Hours우세
1.5 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.3
SLC 쓰기 캐시
지원
approx. 42 GB (36 GB Dynamic + 6 GB Static)
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
정보 없음
AES-128 AES-256 TCG Opal
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
미지원
리브랜딩명
—
SAMSUNG V4 V-NAND
읽기 지연시간(tR)
—
45 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
—
3.5 ms
낸드 최대 내구성
—
7000 P/E Cycles (20000 in SLC Mode)
구성
—
8Gx32
캐시 소진 후 속도
—
approx. 1200 MB/s