SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Seagate Firecuda X1070 1 TBvsMSI Spatium M450 v1 1 TB (Phison E19 + Kioxia BiCS6 TLC)
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
67우세
33
내구성
75우세
63
기능
77
77
효율
87
92우세
한눈에 보는 결론Seagate Firecuda X1070 1 TB은(는) 동급 성능·내구성 항목에서 앞섭니다. MSI Spatium M450 v1 1 TB (Phison E19 + Kioxia BiCS6 TLC)은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
2 chips @ 4 Tbit
2 chips @ 4 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB
—
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Mar 8th, 2026
정보 없음
출시 가격
240 USD
—
제품 번호
ZP1000GS30001
SPATIUM-M450-NVMe-M.2
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 1.4
소비전력
Unknown (Idle) Unknown (Avg) 4.6 W (Max)
Unknown (Idle) Unknown (Avg) 3.7 W (Max)
제조사
Micron
Kioxia
모델명
N58R FortisFlash
BiCS6
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-M7
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
듀얼 코어
듀얼 코어
파운드리
TSMC FinFET
TSMC
제조 공정
12 nm
28 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
4 @ 1,200 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
HMB (enabled)
종류
없음
없음
적층 기술
232-layer
162-layer
속도
2400 MT/s
2400 MT/s
ONFI 규격
4.2
—
셀 구조
Replacement Gate
Charge Trap
다이 면적
54 mm² (19.0 Gbit/mm²)
98 mm² (10.4 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
4 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
워드라인
255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
184 per NAND String 88.0% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
1220 µs
400 µs
다이 쓰기 속도
52 MB/s
160 MB/s
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
3712 Pages
3660 Pages
플레인 크기
566 Blocks
2430 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
64 MB
순차 읽기
7,200 MB/s우세
3,400 MB/s
순차 쓰기
6,000 MB/s우세
2,400 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세
500,000 IOPS
랜덤 쓰기
900,000 IOPS우세
550,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW우세
300 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.8 Million Hours우세
1.5 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.2
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
정보 없음
TCG Pyrite
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
동작 속도
—
667 MHz
읽기 지연시간(tR)
—
65 µs
다이 읽기 속도
—
1280 MB/s
낸드 최대 내구성
—
3000 P/E Cycles