SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Seagate Firecuda X1070 1 TBvsIntel SSD 750 1.2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Seagate Firecuda X1070 1 TB73/100종합 우세
VS
Intel SSD 750 1.2 TB55/100
동급 성능 67우세 36
내구성 75우세 55
기능 77 95우세
효율 87우세 60

한눈에 보는 결론Seagate Firecuda X1070 1 TB은(는) 동급 성능·내구성·효율 항목에서 앞섭니다. Intel SSD 750 1.2 TB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
2 chips @ 4 Tbit 2560 MB (5x 512 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 400 GB 800 GB 1.2 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 258.4 GB / 23.1 %
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Mar 8th, 2026 Apr 2nd, 2015
출시 가격
240 USD 1029 USD
제품 번호
ZP1000GS30001 29F64G08LCMFS
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) Add-In Card (Double-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4 NVMe
소비전력
Unknown (Idle) Unknown (Avg) 4.6 W (Max) 4.0 W (Idle) 10.0 W (Avg) 22.0 W (Max)
제조사
Micron Intel
모델명
N58R FortisFlash Micron MT41K1G4RH-125:E (D9PQL)
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-M7 ARM
코어 구성
듀얼 코어 —
파운드리
TSMC FinFET Intel
제조 공정
12 nm 20 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 18
칩 활성 수
4 —
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR3-1600 CL16
적층 기술
232-layer Planar
속도
2400 MT/s 50 MT/s .. 200 MT/s
ONFI 규격
4.2 2.3
셀 구조
Replacement Gate Floating Gate
다이 면적
54 mm² (19.0 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 64 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 —
워드라인
255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency —
프로그램 시간(tProg)
1220 µs 1300 µs
다이 쓰기 속도
52 MB/s —
페이지 크기
16 KB 8 KB
블록 크기
3712 Pages 256 Pages
플레인 크기
566 Blocks 1024 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,200 MB/s우세 2,500 MB/s
순차 쓰기
6,000 MB/s우세 1,200 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 460,000 IOPS
랜덤 쓰기
900,000 IOPS우세 290,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW우세 128 TBW
평균 무고장 시간(MTBF)
1.8 Million Hours우세 1.2 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 0.1
SLC 쓰기 캐시
지원 —
전원 손실 보호
미지원 지원
암호화
정보 없음 미지원
PS5 호환
지원 미지원
동작 속도
— 400 MHz
읽기 지연시간(tR)
— 100 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 3.0 ms
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles
보조 낸드 제조사
— Intel
보조 낸드 모델명
— 20nm
보조 낸드 제품 번호
— 29F16B08LCMFS
보조 낸드 종류
— MLC
보조 낸드 적층 기술
— Planar
보조 낸드 속도
— 267 MT/s ... 533 MT/s
보조 낸드 용량
— 14 chips x 64 Gbit
보조 낸드 ONFI 규격
— 3.0
보조 낸드 셀 구조
— Charge Trap
보조 낸드 다이 면적
— 118mm²
보조 낸드 칩당 다이 수
— 1 dies x 128 Gbit
보조 낸드 다이당 플레인 수
— 4 Planes
보조 낸드 읽기 지연시간(tR)
— 90 µs
구성
— 4Gx4
쓰기 캐시
— N/A