SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Seagate Firecuda X1070 1 TBvsASUS ROG SQ7 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
67
87우세
내구성
75
84우세
기능
77
83우세
효율
87우세
77
한눈에 보는 결론Seagate Firecuda X1070 1 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. ASUS ROG SQ7 1 TB은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
2 chips @ 4 Tbit
1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB
—
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Mar 8th, 2026
May 24th, 2022
출시 가격
240 USD
—
제품 번호
ZP1000GS30001
IA7BG94AYA
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 1.4
NVMe 1.4
소비전력
Unknown (Idle) Unknown (Avg) 4.6 W (Max)
Unknown (Idle) Unknown (Avg) 6.6 W (Max)
제조사
Micron
Micron
모델명
N58R FortisFlash
SK Hynix H5AN8G6NDJR-XNC
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-M7
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
듀얼 코어
5-Core
파운드리
TSMC FinFET
TSMC
제조 공정
12 nm
12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
8 @ 1,600 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
DDR4-3200 CL22
적층 기술
232-layer
176-layer
속도
2400 MT/s
1200 MT/s .. 1600 MT/s
ONFI 규격
4.2
4.1
셀 구조
Replacement Gate
Replacement Gate
다이 면적
54 mm² (19.0 Gbit/mm²)
50 mm² (10.2 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
4 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
워드라인
255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
195 per NAND String 90.3% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
1220 µs
502 µs
다이 쓰기 속도
52 MB/s
127 MB/s
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
3712 Pages
2112 Pages
플레인 크기
566 Blocks
550 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
7,200 MB/s우세
7,000 MB/s
순차 쓰기
6,000 MB/s
6,000 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS
정보 없음
랜덤 쓰기
900,000 IOPS
정보 없음
쓰기 내구성
600 TBW
800 TBW우세
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.8 Million Hours
2.0 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.4
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
정보 없음
AES-256 TCG Opal
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
동작 속도
—
1,000 MHz
읽기 지연시간(tR)
—
56 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
—
15 ms
다이 읽기 속도
—
1143 MB/s
낸드 최대 내구성
—
3000 P/E Cycles (40000 in SLC Mode)
구성
—
8Gx16