SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung PM981a 2 TB (Samsung V-NAND TLC V5 512Gb M-die)vsSamsung 9100 Pro 1 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
62
97우세
내구성
75
75
기능
83
83
효율
—
—
한눈에 보는 결론Samsung 9100 Pro 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. 내구성·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
2048 MB (1x 2048 MB)
1024 MB (1x 1024 MB)
오버프로비저닝
140.7 GB / 7.4 %
92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
정보 없음
생산 중
출시일
2020
Feb 25th, 2025
제품 번호
MZVLB2T0HALB
MZ-VAP1T0
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 3.0 x4
PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 1.3
NVMe 2.0
소비전력
정보 없음
정보 없음
제조사
Samsung
Samsung
모델명
V-NAND V5
Samsung
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R7
ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
5-Core
5-Core
파운드리
Samsung FinFET
Samsung FinFET
제조 공정
20 nm
5 nm
플래시 채널
8 @ 800 MT/s
8 @ 2,400 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
DRAM (enabled)
DRAM (enabled)
종류
LPDDR4
LPDDR4X
적층 기술
92-layer
236-layer
속도
533 MT/s .. 1400 MT/s
2400 MT/s
Toggle 규격
4.0
5.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
칩당 다이 수
16 dies @ 512 Gbit
4 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
2
4
다이당 데크 수
1
2
워드라인
100 per NAND String 92.0% Vertical Efficiency
—
읽기 지연시간(tR)
73 µs
40 µs
프로그램 시간(tProg)
500 µs
390 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
3.5 ms
4.0 ms
다이 읽기 속도
438 MB/s
1600 MB/s
다이 쓰기 속도
64 MB/s
164 MB/s
페이지 크기
16 KB
16 KB
순차 읽기
3,500 MB/s
14,700 MB/s우세
순차 쓰기
3,000 MB/s
13,300 MB/s우세
랜덤 읽기
580,000 IOPS
1,850,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
550,000 IOPS
2,600,000 IOPS우세
쓰기 내구성
1200 TBW우세
600 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
—
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 42 GB (36 GB Dynamic + 6 GB Static)
approx. 114 GB (108 GB Dynamic + 6 GB Static)
캐시 소진 후 속도
approx. 1700 MB/s
—
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
AES-256 TCG Opal
AES-256 TCG Opal
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
미지원
지원
용량 옵션
—
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
출시 가격
—
173 USD
다이 면적
—
89 mm² (11.5 Gbit/mm²)