SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung PM971 512 GB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)vsSamsung 9100 Pro 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Samsung

Samsung PM971 512 GB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung PM971 512 GB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)48/100
VS
Samsung 9100 Pro 1 TB88/100종합 우세
동급 성능 22 97우세
내구성 — 75
기능 83 83
효율 95 —

한눈에 보는 결론Samsung 9100 Pro 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
정보 없음 1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
256 GB 512 GB 1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
오버프로비저닝
35.2 GB / 7.4 % 92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
단종 생산 중
출시일
Sep 8th, 2015 Feb 25th, 2025
제품 번호
KUS040202M-B000TMV MZ-VAP1T0
폼팩터
BGA M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 3.0 x2 PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 1.2 NVMe 2.0
소비전력
Unknown (Idle) Unknown (Avg) 3.0 W (Max) 정보 없음
모델명
V-NAND V3 Samsung
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R ARM 32-bit Cortex-R8
제조 공정
28 nm 5 nm
플래시 채널
4 @ 667 MT/s 8 @ 2,400 MT/s
종류
LPDDR4 LPDDR4X
적층 기술
48-layer 236-layer
속도
667 MT/s 2400 MT/s
다이 면적
98 mm² (2.6 Gbit/mm²) 89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 256 Gbit 4 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
2 4
다이당 데크 수
1 2
워드라인
54 per NAND String 88.9% Vertical Efficiency —
읽기 지연시간(tR)
45 µs 40 µs
프로그램 시간(tProg)
660 µs 390 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
3500 ms 4.0 ms
다이 쓰기 속도
53 MB/s 164 MB/s
블록 크기
576 Pages —
플레인 크기
3776 Blocks —
순차 읽기
1,500 MB/s 14,700 MB/s우세
순차 쓰기
900 MB/s 13,300 MB/s우세
랜덤 읽기
190,000 IOPS 1,850,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
170,000 IOPS 2,600,000 IOPS우세
쓰기 내구성
정보 없음 600 TBW
보증 기간
없음 5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours —
SLC 쓰기 캐시
지원 approx. 114 GB (108 GB Dynamic + 6 GB Static)
암호화
정보 없음 AES-256 TCG Opal
PS5 호환
미지원 지원
출시 가격
— 173 USD
코어 구성
— 5-Core
Toggle 규격
— 5.0
다이 읽기 속도
— 1600 MB/s
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
— 0.3