SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung PM1725B 6 TBvsSamsung 9100 Pro 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung PM1725B 6 TB84/100
VS
Samsung 9100 Pro 1 TB88/100종합 우세
동급 성능 75 97우세
내구성 99우세 75
기능 94우세 83
효율 35 —

한눈에 보는 결론Samsung PM1725B 6 TB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다. Samsung 9100 Pro 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
정보 없음 1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
1.6 TB 3 TB 6 TB 13 TB 1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
오버프로비저닝
2231.5 GB / 37.4 % 92.7 GB / 10.0 %
생산 상태
단종 생산 중
출시일
Sep 7th, 2018 Feb 25th, 2025
출시 가격
2600 USD 173 USD
제품 번호
MZWLL6T4HMLA-00005 MZ-VAP1T0
대상 시장
기업용 일반 소비자용
폼팩터
U.2 M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 3.0 x4 PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 1.2 NVMe 2.0
소비전력
7.0 W (Idle) 15.0 W (Avg) 22.0 W (Max) 정보 없음
모델명
V-NAND V4 (M-Die) Samsung
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R7 + MPU ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
듀얼 코어 5-Core
동작 속도
750 MHz —
파운드리
Samsung Samsung FinFET
제조 공정
20 nm 5 nm
플래시 채널
16 @ 667 MT/s 8 @ 2,400 MT/s
칩 활성 수
8 4
종류
DDR4 LPDDR4X
적층 기술
64-layer 236-layer
속도
1000 MT/s 2400 MT/s
Toggle 규격
3.0 5.0
다이 면적
128 mm² (4.0 Gbit/mm²) 89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 512 Gbit 4 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
2 4
다이당 데크 수
1 2
워드라인
72 per NAND String 88.9% Vertical Efficiency —
읽기 지연시간(tR)
45 µs 40 µs
프로그램 시간(tProg)
700 µs 390 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
3.5 ms 4.0 ms
낸드 최대 내구성
7000 P/E Cycles (20000 in SLC Mode) —
블록 크기
768 Pages —
플레인 크기
5748 Blocks —
순차 읽기
3,500 MB/s 14,700 MB/s우세
순차 쓰기
2,800 MB/s 13,300 MB/s우세
랜덤 읽기
800,000 IOPS 1,850,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
190,000 IOPS 2,600,000 IOPS우세
쓰기 내구성
35040 TBW우세 600 TBW
평균 무고장 시간(MTBF)
2.0 Million Hours —
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
3.0 0.3
쓰기 캐시
N/A —
전원 손실 보호
지원 미지원
암호화
정보 없음 AES-256 TCG Opal
PS5 호환
미지원 지원
다이 읽기 속도
— 1600 MB/s
다이 쓰기 속도
— 164 MB/s
SLC 쓰기 캐시
— approx. 114 GB (108 GB Dynamic + 6 GB Static)