SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsWestern Digital Ultrastar DC SN650 7.5 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Western Digital

Western Digital Ultrastar DC SN650 7.5 TB

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100종합 우세
VS
Western Digital Ultrastar DC SN650 7.5 TB62/100
동급 성능 73우세 50
내구성 47 66우세
기능 77 94우세
효율 96우세 20

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Western Digital Ultrastar DC SN650 7.5 TB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 정보 없음
용량 옵션
1 TB 2 TB 7.5 TB 15 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 % 1039.4 GB / 14.5 %
출시일
Jul 14th, 2026 May 9th, 2022
출시 가격
530 USD —
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 WUS5EA176ESP5E1 | WUS5EA176ESP5E3
대상 시장
일반 소비자용 기업용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) U.3
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 8.0 W (Idle) 18.0 W (Avg) Unknown (Max)
제조사
Samsung Kioxia
모델명
V-NAND V9 BiCS5
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 64-bit Cortex-A
코어 구성
6-Core —
파운드리
Samsung FinFET —
제조 공정
5 nm —
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8
칩 활성 수
4 —
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR4
적층 기술
280-layer 112-layer
속도
3200 MT/s 1200 MT/s
Toggle 규격
5.0 4.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit —
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 —
읽기 지연시간(tR)
85 µs 56 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 66 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,250 MB/s우세 6,500 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 1,900 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 705,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 74,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW 14016 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 2.0 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 1.0
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB —
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
전원 손실 보호
미지원 지원
암호화
AES-256 TCG Opal TCG Opal
PS5 호환
지원 미지원
워드라인
— 128 per NAND String 87.5% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 484 µs
다이 읽기 속도
— 571 MB/s
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles (100000 in SLC Mode)
블록 크기
— 1344 Pages
플레인 크기
— 448 Blocks
쓰기 캐시
— N/A