SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsWestern Digital SN850 (w/ Heatsink) 500 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Western Digital

Western Digital SN850 (w/ Heatsink) 500 GB

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100종합 우세
VS
Western Digital SN850 (w/ Heatsink) 500 GB66/100
동급 성능 73우세 55
내구성 47 75우세
기능 77 81우세
효율 96 —

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN850 (w/ Heatsink) 500 GB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 512 MB (1x 512 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 500 GB 1 TB 2 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 % 46.3 GB / 10.0 %
출시일
Jul 14th, 2026 Oct 8th, 2020
출시 가격
530 USD 190 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 WDS500G1XHE-00AFY0
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2280 (Double-Sided)
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 정보 없음
제조사
Samsung Toshiba
모델명
V-NAND V9 BiCS4
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
6-Core —
파운드리
Samsung FinFET TSMC FinFET
제조 공정
5 nm 19 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 1,200 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR4
적층 기술
280-layer 96-layer
속도
3200 MT/s 533 MT/s .. 800 MT/s
Toggle 규격
5.0 3.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
읽기 지연시간(tR)
85 µs 59 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 56 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,250 MB/s우세 7,000 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 4,100 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 800,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 570,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW우세 300 TBW
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.8 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB approx. 150 GB (144 GB Dynamic + 6 GB Static)
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
암호화
AES-256 TCG Opal 미지원
리브랜딩명
— (Rebranded by Sandisk)
워드라인
— 109 per NAND String 88.1% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 625 µs
다이 읽기 속도
— 551 MB/s
낸드 최대 내구성
— 1500 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
블록 크기
— 1152 Pages
플레인 크기
— 1980 Blocks
구성
— 4Gx16