SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsWestern Digital SN770M 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100종합 우세
VS
Western Digital SN770M 2 TB66/100
동급 성능 73우세 52
내구성 47 75우세
기능 77우세 74
효율 96우세 94

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능·기능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN770M 2 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 효율 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량 옵션
1 TB 2 TB 500 GB 1 TB 2 TB
출시일
Jul 14th, 2026 Sep 2023
출시 가격
530 USD 220 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 WDBDNH0020BBK-WRSN
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2230 (Single-Sided)
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 1.0 W (Idle) 3.2 W (Avg) 4.7 W (Max)
제조사
Samsung Kioxia
모델명
V-NAND V9 BiCS5
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
6-Core —
파운드리
Samsung FinFET TSMC FinFET
제조 공정
5 nm 16 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 4 @ 1,600 MT/s
적층 기술
280-layer 112-layer
속도
3200 MT/s 1200 MT/s
Toggle 규격
5.0 4.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) —
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 —
읽기 지연시간(tR)
85 µs 56 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s —
순차 읽기
7,250 MB/s우세 5,000 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 4,850 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 650,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 800,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW 1200 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.8 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB approx. 638 GB (dynamic only)
캐시 폴딩 속도
213 MB/s 250 MB/s
암호화
AES-256 TCG Opal 미지원
리브랜딩명
— 001187 2T00 (Rebranded by SanDisk)
워드라인
— 128 per NAND String 87.5% Vertical Efficiency
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles (100000 in SLC Mode)
블록 크기
— 1344 Pages
캐시 소진 후 속도
— approx. 500 MB/s