SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsWestern Digital SN750 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100
VS
Western Digital SN750 2 TB71/100종합 우세
동급 성능 73우세 59
내구성 47 75우세
기능 77 81우세
효율 96우세 94

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN750 2 TB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다. 효율 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 2048 MB (1x 2048 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 250 GB 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB
출시일
Jul 14th, 2026 Jan 18th, 2019
출시 가격
530 USD 500 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 WDS200T3X0C
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 1.1 W (Idle) 3.3 W (Avg) 5.6 W (Max)
제조사
Samsung Toshiba
모델명
V-NAND V9 SK Hynix
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
6-Core 트리플 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 19 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 800 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR4
적층 기술
280-layer 64-layer
속도
3200 MT/s 533 MT/s
Toggle 규격
5.0 2.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 132 mm² (3.9 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
읽기 지연시간(tR)
85 µs 80 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 46 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,250 MB/s우세 3,400 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 2,900 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 480,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 550,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW 1200 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.8 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB approx. 36 GB (static only)
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
암호화
AES-256 TCG Opal 미지원
PS5 호환
지원 미지원
리브랜딩명
— (Rebranded by Sandisk)
프로그램 시간(tProg)
— 695 µs
다이 읽기 속도
— 400 MB/s
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
블록 크기
— 768 Pages
플레인 크기
— 2732 Blocks
캐시 소진 후 속도
— approx. 1400 MB/s