SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsWestern Digital SN7100 500 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100
VS
Western Digital SN7100 500 GB72/100종합 우세
동급 성능 73우세 68
내구성 47 75우세
기능 77 77
효율 96 —

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN7100 500 GB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 2 chips @ 2 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 % 46.3 GB / 10.0 %
출시일
Jul 14th, 2026 Nov 21st, 2024
출시 가격
530 USD —
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 WDS500G4X0E
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 정보 없음
제조사
Samsung Kioxia
모델명
V-NAND V9 BiCS8
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM Cortex-R
코어 구성
6-Core —
파운드리
Samsung FinFET —
제조 공정
5 nm 16 nm
적층 기술
280-layer 218-layer
속도
3200 MT/s 3600 MT/s
Toggle 규격
5.0 5.1
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 44 mm² (23.3 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 2 dies @ 1 Tbit
읽기 지연시간(tR)
85 µs 40 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 205 MB/s
순차 읽기
7,250 MB/s우세 6,800 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 5,800 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 760,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW우세 300 TBW
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours —
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB 지원
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
암호화
AES-256 TCG Opal 정보 없음
워드라인
— 241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
— 5.0 ms
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles