SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsWestern Digital SN7100 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100
VS
Western Digital SN7100 2 TB80/100종합 우세
동급 성능 73 79우세
내구성 47 75우세
기능 77 77
효율 96 98우세

한눈에 보는 결론Western Digital SN7100 2 TB은(는) 동급 성능·내구성 항목에서 앞섭니다. 기능·효율 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량 옵션
1 TB 2 TB 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB
출시일
Jul 14th, 2026 Nov 21st, 2024
출시 가격
530 USD 140 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 WDS200T4X0E
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 1.1 W (Idle) 2.4 W (Avg) 3.7 W (Max)
제조사
Samsung Kioxia
모델명
V-NAND V9 BiCS8
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM Cortex-R
코어 구성
6-Core —
파운드리
Samsung FinFET TSMC FinFET
제조 공정
5 nm 16 nm
적층 기술
280-layer 218-layer
속도
3200 MT/s 3600 MT/s
Toggle 규격
5.0 5.1
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 44 mm² (23.3 Gbit/mm²)
읽기 지연시간(tR)
85 µs 40 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 205 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s 6,900 MB/s우세
랜덤 읽기
850,000 IOPS 1,000,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS 1,400,000 IOPS우세
쓰기 내구성
800 TBW 1200 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours —
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB approx. 650 GB (dynamic only)
캐시 폴딩 속도
213 MB/s 800 MB/s
암호화
AES-256 TCG Opal 정보 없음
리브랜딩명
— SanDisk 022644 2T00 4422D1JX403Q
워드라인
— 241 per NAND String 90.5% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
— 5.0 ms
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles