SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsWestern Digital SN5000S 512 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100종합 우세
VS
Western Digital SN5000S 512 GB62/100
동급 성능 73우세 52
내구성 47 62우세
기능 77 77
효율 96우세 80

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN5000S 512 GB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 정보 없음
용량 옵션
1 TB 2 TB 512 GB 1 TB 2 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 % 35.2 GB / 7.4 %
출시일
Jul 14th, 2026 Mar 14th, 2024
출시 가격
530 USD —
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 SDEPNSJ-512G / SDEQNSJ-512G
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) Unknown (Idle) Unknown (Avg) 6.1 W (Max)
제조사
Samsung Kioxia
모델명
V-NAND V9 BiCS6
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM Cortex-R
코어 구성
6-Core —
파운드리
Samsung FinFET —
제조 공정
5 nm 16 nm
적층 기술
280-layer 162-layer
속도
3200 MT/s 2400 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit —
읽기 지연시간(tR)
85 µs —
다이 쓰기 속도
41 MB/s 60 MB/s
순차 읽기
7,250 MB/s우세 6,000 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 4,200 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 500,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 850,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW우세 150 TBW
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours —
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.2
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB 지원
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
암호화
AES-256 TCG Opal TCG Opal TCG Pyrite
워드라인
— 184 per NAND String 88.0% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 1057 µs