SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsWestern Digital SN5000 500 GB (Kioxia BiCS5 TLC 512Gb HDR)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Western Digital

Western Digital SN5000 500 GB (Kioxia BiCS5 TLC 512Gb HDR)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100종합 우세
VS
Western Digital SN5000 500 GB (Kioxia BiCS5 TLC 512Gb HDR)61/100
동급 성능 73우세 47
내구성 47 75우세
기능 77 77
효율 96

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN5000 500 GB (Kioxia BiCS5 TLC 512Gb HDR)은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 2 chips @ 2 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 500 GB 1 TB 2 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 % 46.3 GB / 10.0 %
출시일
Jul 14th, 2026 Jun 2024
출시 가격
530 USD 80 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 WDS500G4B0E
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 정보 없음
제조사
Samsung Kioxia
모델명
V-NAND V9 BiCS5 HDR
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM Cortex-R
코어 구성
6-Core
파운드리
Samsung FinFET TSMC FinFET
제조 공정
5 nm 16 nm
적층 기술
280-layer 112-layer
속도
3200 MT/s 1600 MT/s
Toggle 규격
5.0 4.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 4 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2
읽기 지연시간(tR)
85 µs 56 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 66 MB/s
순차 읽기
7,250 MB/s우세 5,000 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 4,000 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 460,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 770,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW우세 300 TBW
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.8 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB 지원
캐시 폴딩 속도
213 MB/s
암호화
AES-256 TCG Opal TCG Pyrite
워드라인
128 per NAND String 87.5% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
484 µs
다이 읽기 속도
571 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles (100000 in SLC Mode)
블록 크기
1344 Pages
플레인 크기
448 Blocks