SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsSeagate Nytro 5550H 3 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100
VS
Seagate Nytro 5550H 3 TB95/100종합 우세
동급 성능 73 96우세
내구성 47 99우세
기능 77 94우세
효율 96우세 80

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. Seagate Nytro 5550H 3 TB은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 정보 없음
용량 옵션
1 TB 2 TB 800 GB 1.6 TB 3 TB 6 TB 13 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 % 1115.8 GB / 37.4 %
출시일
Jul 14th, 2026 Aug 2022
출시 가격
530 USD —
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 XP3200LE70005
대상 시장
일반 소비자용 기업용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) U.2
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 6.0 W (Idle) Unknown (Avg) 20.0 W (Max)
제조사
Samsung SK Hynix
모델명
V-NAND V9 V6
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5 (2-core) + AndesCore 32-bit N25F RISC-V (32-core)
코어 구성
6-Core 34-Core
파운드리
Samsung FinFET TSMC FinFET
제조 공정
5 nm 12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 16
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM
종류
없음 TLC
적층 기술
280-layer 128-layer
속도
3200 MT/s 1400 MT/s
Toggle 규격
5.0 4.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 63 mm² (8.1 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit —
읽기 지연시간(tR)
85 µs —
다이 쓰기 속도
41 MB/s —
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,250 MB/s 7,400 MB/s우세
순차 쓰기
6,450 MB/s 6,900 MB/s우세
랜덤 읽기
850,000 IOPS 1,700,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 460,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW 17500 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 2.5 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 3.0
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB —
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
전원 손실 보호
미지원 지원
PS5 호환
지원 미지원
워드라인
— 147 per NAND String 87.1% Vertical Efficiency
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles
블록 크기
— 1536 Pages
플레인 크기
— 722 Blocks
종류 및 용량
— 정보 없음
쓰기 캐시
— N/A