SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung 990 2 TBvsSeagate BarraCuda 510 256 GB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
73우세
36
내구성
47
76우세
기능
77
83우세
효율
96우세
95
한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Seagate BarraCuda 510 256 GB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다. 효율 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 16 Tbit
512 MB (1x 512 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB
256 GB 512 GB 1 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 %
17.6 GB / 7.4 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Jul 14th, 2026
2019
출시 가격
530 USD
70 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0
ZP256CM30011/ZP256CM30031
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 1.3
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max)
0.02 W (Idle) 3.0 W (Avg) Unknown (Max)
제조사
Samsung
Kioxia
모델명
V-NAND V9
SK Hynix H5AN4G8NBJR
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core
쿼드 코어
파운드리
Samsung FinFET
TSMC
제조 공정
5 nm
19 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
8 @ 667 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
DDR4-2400
적층 기술
280-layer
64-layer
속도
3200 MT/s
533 MT/s
Toggle 규격
5.0
2.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²)
132 mm² (3.9 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit
—
다이당 플레인 수
4
2
다이당 데크 수
2
2
읽기 지연시간(tR)
85 µs
80 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s
46 MB/s
페이지 크기
16 KB
16 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
7,250 MB/s우세
3,050 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세
1,050 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세
180,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세
340,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW우세
160 TBW
보증 기간
3 Years
5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
—
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4
0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB
지원
캐시 폴딩 속도
213 MB/s
—
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
AES-256 TCG Opal
정보 없음
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
미지원
동작 속도
—
667 MHz
리브랜딩명
—
Kioxia BiCS3
프로그램 시간(tProg)
—
695 µs
다이 읽기 속도
—
400 MB/s
낸드 최대 내구성
—
3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
블록 크기
—
768 Pages
플레인 크기
—
2732 Blocks
구성
—
4Gx16