SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsSamsung SM961 1 TB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Samsung

Samsung SM961 1 TB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100종합 우세
VS
Samsung SM961 1 TB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)60/100
동급 성능 73우세 46
내구성 47 60우세
기능 77 83우세
효율 96우세 81

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Samsung SM961 1 TB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 512 GB 1 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 % 70.3 GB / 7.4 %
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Jul 14th, 2026 Apr 15th, 2016
출시 가격
530 USD 512 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 K9UUGY8SCM-DCK0
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.2
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) Unknown (Idle) Unknown (Avg) 5.9 W (Max)
모델명
V-NAND V9 Samsung K4E8E304EE-EGCF
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core 5-Core
파운드리
Samsung FinFET Samsung
제조 공정
5 nm 28 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8
칩 활성 수
4 8
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 LPDDR3-1866
적층 기술
280-layer 48-layer
속도
3200 MT/s 1000 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 1
읽기 지연시간(tR)
85 µs —
다이 쓰기 속도
41 MB/s —
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,250 MB/s우세 3,200 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 1,800 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 450,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 320,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW 정보 없음
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 —
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB 지원
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
암호화
AES-256 TCG Opal 정보 없음
PS5 호환
지원 미지원
구성
— 8Gx32