SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsSamsung PM951 512 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100종합 우세
VS
Samsung PM951 512 GB46/100
동급 성능 73우세 17
내구성 47 —
기능 77 83우세
효율 96 100우세

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Samsung PM951 512 GB은(는) 기능·효율 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 512 MB (1x 512 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 128 GB 256 GB 512 GB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 % 35.2 GB / 7.4 %
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Jul 14th, 2026 Aug 12th, 2014
출시 가격
530 USD —
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 MZVLV512HCJH-00000
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.1
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) Unknown (Idle) 1.7 W (Avg) 4.5 W (Max)
모델명
V-NAND V9 V-NAND V2 C-die
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex R4
코어 구성
6-Core 트리플 코어
파운드리
Samsung FinFET Samsung
제조 공정
5 nm 40 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 533 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 LPDDR3
적층 기술
280-layer 32-layer
속도
3200 MT/s 533 MT/s .. 1000 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 69 mm² (1.9 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 128 Gbit
다이당 플레인 수
4 1
다이당 데크 수
2 1
읽기 지연시간(tR)
85 µs 45 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 50 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,250 MB/s우세 1,050 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 560 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 250,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 144,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW 정보 없음
보증 기간
3 Years 정보 없음
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 —
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB —
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
암호화
AES-256 TCG Opal 정보 없음
PS5 호환
지원 미지원
동작 속도
— 500 MHz
워드라인
— 39 per NAND String 82.1% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 700 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 3500 ms
낸드 최대 내구성
— 7000 P/E Cycles (20500 in SLC Mode)
블록 크기
— 384 Pages
플레인 크기
— 2732 Blocks
쓰기 캐시
— N/A