SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsSamsung 990 Pro (w/ Heatsink) 2 TB (Pascal + V7)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Samsung

Samsung 990 Pro (w/ Heatsink) 2 TB (Pascal + V7)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100
VS
Samsung 990 Pro (w/ Heatsink) 2 TB (Pascal + V7)84/100종합 우세
동급 성능 73 87우세
내구성 47 75우세
기능 77 83우세
효율 96우세 91

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. Samsung 990 Pro (w/ Heatsink) 2 TB (Pascal + V7)은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 2048 MB (1x 2048 MB)
출시일
Jul 14th, 2026 Aug 24th, 2022
출시 가격
530 USD 309 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 K9DVGY8JRD-DCK0
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 0.84 W (Idle) 3.9 W (Avg) 5.9 W (Max)
모델명
V-NAND V9 SAMSUNG K4F6E6S4HM-BGCJ
코어 구성
6-Core —
제조 공정
5 nm 8 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 2,000 MT/s
칩 활성 수
4 8
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 LPDDR4
적층 기술
280-layer 176-layer
속도
3200 MT/s 2000 MT/s
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 60 mm² (8.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 512 Gbit
읽기 지연시간(tR)
85 µs 40 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 184 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,250 MB/s 7,450 MB/s우세
순차 쓰기
6,450 MB/s 6,900 MB/s우세
랜덤 읽기
850,000 IOPS 1,400,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS 1,550,000 IOPS우세
쓰기 내구성
800 TBW 1200 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB approx. 226 GB (216 GB Dynamic + 10 GB Static)
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
하드웨어 버전
— Pascal + V7 1 TB 2 TB Pascal + V8 1Tb 2 TB 4 TB Pascal + V8 512Gb 1 TB 2 TB 990 Pro (w/ Heatsink) (Pascal + V7) 990 Pro (w/ Heatsink) (Pascal + V8 1Tb) 990 Pro (w/ Heatsink) (Pascal + V8 512Gb)
워드라인
— 191 per NAND String 92.1% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 347 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 3.5 ms
다이 읽기 속도
— 1600 MB/s
캐시 소진 후 속도
— approx. 1400 MB/s